[发明专利]掩模板、曝光系统和曝光方法有效
申请号: | 201210537158.3 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN103034046A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 陈珍霞;李凡;姜妮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/52 | 分类号: | G03F1/52;G03F7/20 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模板 曝光 系统 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种掩模板、曝光系统和曝光方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)在当前的显示领域中占据了主导地位,其产品具有体积小、功耗低、无辐射、分辨率高等优点,已经被广泛应用于现代数字信息化设备中。
TFT-LCD是由阵列基板和彩膜基板对盒而成,在阵列基板上形成有相互交叉定义出像素区域的栅线和数据线,在各种像素区域中形成有像素电极和薄膜晶体管;在彩膜基板上形成有黑矩阵和彩色滤光层。在阵列基板和彩膜基板之间的液晶在不同电场强度的作用下产生不同的转动来达到显示的明暗,配合彩膜基板的彩色滤光层,就可达到彩色图像显示效果。
在阵列基板形成工艺中,栅极及其栅线、栅绝缘层、半导体层、源漏电极层以及数据线、钝化保护层、像素电极的形成可以通过光刻工艺实现。在光刻工艺中,涂覆光刻胶,通过掩模板对光刻胶层进行曝光、显影,后经刻蚀、剥离处理,得到图案化膜层。彩膜基板的彩色滤光层部分也可以通过光刻工艺形成。在实现上述利用掩模板对光刻胶进行曝光的过程中,对具有不同构图图案的基板,需要用不同的掩膜板对光刻胶进行曝光;并且每次曝光过程中,照射在掩模板不透光区域的曝光光线都被吸收消耗,浪费掉,由此增加了制造成本,也降低了生产效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种掩模板、曝光系统和曝光方法,能够解决对具有不同构图图案的基板,需要用不同的掩膜板对光刻胶进行曝光;并且每次曝光过程中,照射在掩模板不透光区域的曝光光线没有被利用的问题。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种掩模板,所述掩膜板包括透光区域和不透光区域,所述透光区域的图形与第一基板的待曝光区域的图形相对应,所述不透光区域上设置有用于反射曝光光线的反射区域,所述反射区域的图形与第二基板的待曝光区域的图形相对应。
进一步地,所述反射区域位于所述掩膜板远离第一基板方向的一侧。
本发明实施例还提供了一种曝光系统,包括掩膜板和设置在所述掩膜板上方的主反射结构,所述掩膜板包括透光区域和不透光区域,所述透光区域的图形与第一基板的待曝光区域的图形相对应,所述不透光区域上设置有用于反射曝光光线的反射区域,所述反射区域的图形与第二基板的待曝光区域的图形相对应;
在曝光光线照射所述掩膜板,穿过掩膜板的透光区域对第一基板进行曝光时,所述掩膜板的反射区域反射曝光光线至所述主反射结构,所述主反射结构将所述反射区域反射来的光线再反射至第二基板的待曝光区域对第二基板进行曝光。
进一步地,所述系统还包括:
从反射结构,用于接收主反射结构反射的光线,并反射至所述第二基板的待曝光区域。
进一步地,所述系统还包括:
主基台,用于承载第一基板;
光源,用于提供曝光光线;
从基台,用于承载第二基板。
进一步地,所述经从反射结构反射后照射到第二基板的待曝光区域上的曝光光线为垂直入射。
进一步地,所述主反射结构的反射面与所述从反射结构的反射面相垂直。
进一步地,所述主基台与所述主反射结构的反射面之间的夹角γ为45°。
进一步地,所述系统还包括:
设置在所述从反射结构和所述第二基板之间的UM透镜系统。
进一步地,所述系统还包括:
设置在所述第一基板和所述掩膜板之间的UM透镜系统。
进一步地,所述主反射结构包括透射板和形成在所述透射板上的反射膜层,所述反射膜层用于反射掩膜板反射区域反射来的光线。
本发明实施例还提供了一种曝光方法,利用如上所述的曝光系统对基板进行曝光,所述曝光方法包括:
在利用所述掩膜板对第一基板曝光的同时,利用所述掩膜板的反射区域反射的曝光光线对第二基板进行曝光。
本发明的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,第一基板和第二基板可以利用同一张掩膜板进行曝光,不需要更换掩模板,且可以利用第一基板曝光时不用的曝光光线进行第二基板的曝光,既节约了掩模板的购买和维护,又避免了曝光光线的浪费,降低了液晶显示面板的生产成本,又节约了生产时间,提高了生产效率。
附图说明
图1为现有曝光技术中曝光系统的结构示意图;
图2本发明实施例的曝光系统的结构示意图;
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备