[发明专利]双极晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种双极晶体管，其特征在于，所述晶体管包括集电区，设置在所述集电区上的本征基区和隔离氧化层，设置在所述隔离氧化层上的外基区，设置在所述本征基区上的发射区，以及设置在所述发射区侧面的侧墙；所述本征基区的边缘位于所述隔离氧化层的上方，所述外基区全部位于所述隔离氧化层的上方。

2.根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述外基区嵌入到发射区侧面的侧墙下方。

3.根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述外基区的材料为硅、锗硅或锗硅碳。

4.一种双极晶体管制备方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

4.1采用硅衬底作为集电区，在所述集电区上依次形成锗硅层和氧化介质层；

4.2在所述氧化介质层上光刻刻蚀形成窗口，依次淀积多晶层和氮化硅层；

4.3刻蚀去除部分所述氮化硅层、多晶层和氧化介质层；所保留的多晶层形成发射区，所保留的氮化硅层形成发射区介质层；

4.4在所得结构上淀积氧化硅层，各向异性刻蚀成氧化硅侧墙；

4.5以所述氧化硅侧墙为掩蔽，各向异性刻蚀锗硅层和硅衬底；所保留的锗硅层形成本征基区；

4.6在所得结构上制备氮化硅侧墙；

4.7以氮化硅侧墙作为掩蔽，将硅衬底表面氧化形成隔离氧化层；

4.8去掉氮化硅侧墙；

4.9在所述隔离氧化层上生长硅层或锗硅层，掺杂形成外基区；

4.10制备孔，引出金属电极线，形成基极、发射极和收集极，表面钝化。

5.根据权利要求4所述的双极晶体管制备方法，其特征在于，步骤4.7中将硅衬底表面氧化形成隔离氧化层采用高压氧化工艺。

6.根据权利要求4所述的双极晶体管制备方法，其特征在于，步骤4.9中利用选择外延工艺生长硅层、锗硅层或锗硅碳层。

7.根据权利要求4所述的双极晶体管制备方法，其特征在于，步骤4.9中采用注入掺杂的方法形成外基区。

8.根据权利要求4所述的双极晶体管制备方法，其特征在于，步骤4.9中采用原位掺杂的方法形成外基区。