[发明专利]防治芝麻枯萎病的生防菌、分离方法、菌剂及其应用

权利要求书

1.防治芝麻枯萎病的生防菌，其特征在于，所述生防菌为皮奥显亚类芽孢杆菌（Paenibacillus peoriae）SF4-11，保藏单位：中国典型培养物保藏中心，保藏地址：湖北省武汉市武昌珞珈山武汉大学保藏中心，保藏号：CCTCCNO:M 2012489。

2.一种如权利要求1所述的防治芝麻枯萎病生防菌的分离方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）病原菌及土壤微生物的分离：

a）病原菌的分离：

取芝麻枯萎病发病植株，对芝麻植株的病杆进行消毒、清洗，再将病感中央维管束组织放入含有50μg/mL氯霉素的PDA培养基上，在26-28℃条件下培养3-4d，然后将优势菌落在PDA培养基中培养3-4d后，进行单孢分离纯化，保存备用；

b）土壤微生物的分离：

称取紫花地丁根部土壤，加入无菌水，采用浓度梯度法稀释土壤悬液，取浓度梯度土壤悬液均匀涂布在1/10TSA培养平板上，在26-28℃条件下，倒置培养1-2d；将生长出的菌落接种于TSA培养基进行分离纯化，然后将纯化的细菌与50%甘油等量混合-70℃冷冻保存备用；

2）拮抗菌筛选：

将培养的不同土壤细菌与尖孢镰刀菌芝麻专化型在PDK培养基上对峙培养，判断有无拮抗作用；

3）对拮抗菌进行鉴定分类。

3.根据权利要求2所述的一种防治芝麻枯萎病生防菌的分离方法，其特征在于，所述芝麻植株病杆为芝麻杆病健交界处的茎杆。

4.根据权利要求2所述的一种防治芝麻枯萎病生防菌的分离方法，其特征在于，所述PDA培养基：马铃薯200g，葡萄糖20g，琼脂粉15g，蒸馏水1000mL，pH7.0-7.2，121℃湿热灭菌20min。

5.根据权利要求2所述的一种防治芝麻枯萎病生防菌的分离方法，其特征在于，所述1/10TSA培养基为：TSB(Trypticase Soya Broth，Difco.)3g，琼脂15g，蒸馏水1000mL，pH7.0-7.2，121℃湿热灭菌20min。

6.根据权利要求2所述的一种防治芝麻枯萎病生防菌的分离方法，其特征在于，所述TSA培养基为：TSB(Trypticase Soya Broth，Difco.)30g，琼脂15g，蒸馏水1000mL，pH7.0-7.2，121℃湿热灭菌20min。

7.根据权利要求2所述的一种防治芝麻枯萎病生防菌的分离方法，其特征在于，所述PDK培养基：马铃薯200g，葡萄糖20g，蛋白胨10g，琼脂15g，蒸馏水1000mL，pH7.0-7.2，121℃湿热灭菌20min。

8.一种如权利要求1所述的防治芝麻枯萎病的生防菌菌剂，其特征在于，将生防菌接种在LB液体培养基中，在30-33℃条件下振荡培养2-3d，离心，取沉淀加入无菌水即得。

9.根据权利要求8所述的防治芝麻枯萎病的生防菌菌剂，其特征在于，所述LB液体培养基为：酵母提取物5g，蛋白胨10g，氯化钠10g，琼脂15g，蒸馏水1000mL，pH7.0-7.2，121℃湿热灭菌20min。

10.一种防治芝麻枯萎病的生防菌在促进芝麻生长方面的应用。