[发明专利]通孔结构及方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

层间介电层，形成在衬底的第一侧上；

第一金属化层，形成在所述层间介电层上方，所述第一金属化层包括形成在第一金属间介电材料中的多条金属线；以及

通孔，形成在所述衬底中，所述通孔包括：

底部，由导电材料形成，并且所述底部紧邻所述衬底的第二侧；

侧壁部，由所述导电材料形成，所述侧壁部的第一端耦合至所述底部且所述侧壁部的第二端耦合至所述第一金属化层的金属线；和

中部，形成在所述侧壁部之间，并且所述中部由介电材料形成。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述通孔包括：

衬里层，形成在通孔沟槽的侧壁上；

势垒层，形成在所述衬里层上；以及

晶种层，形成在所述势垒层上。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述中部的底面低于所述衬底的顶面。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述中部由所述第一金属间介电材料形成。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第一金属间介电材料是感光聚合物材料。

6.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

第一侧互连结构，形成在所述第一金属化层上方；以及

第二侧互连结构，形成在所述衬底的所述第二侧上方，其中，所述第二侧互连结构耦合至所述通孔。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电材料是铜。

8.一种方法，包括：

在所述衬底的第一侧上方形成层间介电层；

在所述衬底中形成开口；

用导电材料填充所述开口，其中，所述开口的上部没有所述导电材料；以及

在所述衬底上方沉积介电材料，其中，所述介电材料被填充在所述开口的上部中。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述开口的侧壁和底部上形成衬里层；

在所述衬里层上方形成势垒层；

在所述势垒层上方形成晶种层；

沉积所述晶种层的光刻胶层；

图案化所述光刻胶层；以及

对所述晶种层应用喷镀工艺。

10.一种方法，包括：

在衬底中自所述衬底的第一侧形成开口；

在所述开口的侧壁和底部上沉积衬里层；

在所述衬里层上方沉积势垒层；

在所述势垒层上方沉积晶种层；

在所述晶种层上方形成光刻胶层；

图案化所述光刻胶层，从而：

去除所述开口中的所述光刻胶层；以及

去除所述衬底上的所述光刻胶层的部分，以在所述光刻胶层中形成互连沟槽；

使用电化学镀工艺用导电材料填充所述开口，所述开口的上部没有所述导电材料；

使用所述电化学镀工艺用所述导电材料将所述互连沟槽填充至第一金属线；以及

在所述开口和所述互连沟槽上方沉积介电材料，其中，所述开口的所述上部填充有所述介电材料。