[发明专利]显示装置、阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201210540758.5 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102983134A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 于海峰;封宾;林鸿涛 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板，包括像素区域和周边布线区域，其特征在于，
所述周边布线区域设有ESD组件和短路条，所述ESD组件包括多个TFT，所述TFT的源电极和漏电极设置在所述短路条上。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述ESD组件包括两个TFT，所述第一TFT和所述第二TFT的漏电极相对设置。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素区域的栅线延伸至所述周边布线区域，所述栅线的延伸部分与所述短路条交叉设置。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述两个TFT的栅极与所述像素区域的栅线同层设置，所述第一TFT的栅极与所述栅线一体成型。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一TFT的栅极与所述第一TFT的源电极电连接，所述第二TFT的栅极与所述第二TFT的源极电连接。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。
7.一种如权利要求1-5任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括像素区域和周边布线区域，所述周边布线区域包括ESD组件，所述ESD组件包括多个TFT，所述制备方法包括以下步骤：
步骤S1：在周边布线区域形成所述TFT的栅极；
步骤S2：在周边布线区域形成短路条和ESD组件中TFT的源电极和漏电极，所述TFT的源电极与漏电极形成在所述短路条上；
步骤S3：在周边布线区域形成过孔，所述TFT的栅极与所述源极通过过孔连接，所述像素区域的栅线延伸至所述周边布线区域，且与所述TFT的源极通过过孔连接。
8.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板还包括像素区域，所述TFT的栅极与所述像素区域的栅线采用一次构图工艺形成。
9.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板还包括像素区域，所述短路条、所述TFT的源电极和漏电极与所述像素区域的数据线采用一次构图工艺形成。
10.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板还包括像素区域，所述周边布线区域的过孔与所述像素区域的过孔采用一次构图工艺形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
