[发明专利]显示装置、阵列基板及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示装置、阵列基板及其制备方法。

背景技术

近几年来，随着TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display薄膜晶体管液晶显示器）液晶显示器技术的不断发展和完善，窄边框的显示性能越来越受到用户的广泛追捧。

在TFT-LCD制作工艺中，静电的防护是整个工艺管控的关键。为了避免静电对产品质量的影响，现有技术中通常利用二极管反接组成的ESD（Electro-Static discharge，静电释放）组件对静电起到较好的防护作用。

但由于设置的防静电ESD组件需要占用基板上显示区域的空间，这样，基板上的显示区域需要为ESD留有一定的区域，导致组装后的产品边框较宽，无法较好地实现窄边框的产品性能，对显示产品实现窄边框性能造成一定阻碍。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是提供一种显示装置、阵列基板及其制备方法，以克服现有的阵列基板采用ESD组件释放静电，占用了一定显示区域空间，导致显示产品无法较好地实现窄边框性能的缺陷。

（二）技术方案

为了解决上述技术问题，本发明一方面提供一种阵列基板，包括像素区域和周边布线区域，所述周边布线区域设有ESD组件和短路条，所述ESD组件包括多个TFT，所述TFT的源电极和漏电极设置在所述短路条上。

优选地，所述ESD组件包括两个TFT，所述第一TFT和所述第二TFT的漏电极相对设置。

优选地，所述像素区域的栅线延伸至所述周边布线区域，所述栅线的延伸部分与所述短路条交叉设置。

优选地，所述两个TFT的栅极与所述像素区域的栅线同层设置，所述第一TFT的栅极与所述栅线一体成型。

具体地，所述第一TFT的栅极与所述第一TFT的源电极电连接，所述第二TFT的栅极与所述第二TFT的源极电连接。

本发明还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本发明还提供一种如上所述的阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括像素区域和周边布线区域，所述周边布线区域包括ESD组件，所述ESD组件包括多个TFT，所述制备方法包括以下步骤：

步骤S1：在周边布线区域形成所述TFT的栅极；

步骤S2：在周边布线区域形成短路条和ESD组件中TFT的源电极和漏电极，所述TFT的源电极与漏电极形成在所述短路条上；

步骤S3：在周边布线区域形成过孔，所述TFT的栅极与所述源极通过过孔连接，所述像素区域的栅线延伸至所述周边布线区域，且与所述TFT的源极通过过孔连接。

优选地，所述阵列基板还包括像素区域，所述TFT的栅极与所述像素区域的栅线采用一次构图工艺形成。

优选地，所述阵列基板还包括像素区域，所述短路条、所述TFT的源电极和漏电极与所述像素区域的数据线采用一次构图工艺形成。

优选地，所述阵列基板还包括像素区域，所述周边布线区域的过孔与所述像素区域的过孔采用一次构图工艺形成。

（三）有益效果

本发明技术方案具有如下优点：本发明提供一种显示装置、阵列基板及其制备方法，通过将ESD中TFT的源电极和漏电极设置在短路条上，可有效减少基板显示区域两侧ESD器件所占用的水平距离，同时使得整体外围电路的位置像显示区域偏移，可有效降低显示区与玻璃边缘之间的距离，较好地实现显示产品的窄边框性能，提高产品的市场竞争力。

附图说明

图1为本发明实施例阵列基板中其中一侧静电释放结构示意图；

图2为本发明实施例阵列基板中另外一侧静电释放结构示意图；

图3为本发明实施例阵列基板的制备方法流程图。

图中：

1：栅线；2：透明导电层；3：漏电极；4：源电极；5：短路条；6：栅极。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。