[发明专利]一种半导体超浅结的制备方法无效
| 申请号： | 201210544389.7 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103871814A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 邹志超;李超波;窦伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 超浅结 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体超浅结的制备方法，采用的离子注入法为等离子体浸没离子注入法，其特征在于，包含：
在硅基片的表面制备阻挡层，所述阻挡层用来阻挡进行离子注入时注入的离子；
对所述硅基片从阻挡层面进行离子注入；
在完成所述离子注入后，去除所述阻挡层。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阻挡层包含对离子注入的离子的阻挡能力与所述硅基片相当或较弱的薄膜。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述阻挡层为二氧化硅。
4.如权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入的离子为硼离子或磷离子。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入的能量为100ev～2Kev。
6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入的腔室包含低气压腔室，其气压范围在0.1mTorr到10mTorr之间。
7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述硅基片的尺寸为100mm～200mm。
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