[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201210544578.4 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103187339A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 武明励;难波敏光 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;郭晓东 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
槽主体,其以使相邻的基板的主面相向并以立起姿势排列的状态,容置从上部的搬入口搬入的多个基板;
盖部,其对上述槽主体的上述搬入口进行开闭;
多个处理液喷嘴,其向上述槽主体内的上述多个基板喷出处理液;
至少一个气体喷嘴,其向上述盖部的下表面喷出气体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述至少一个气体喷嘴设置在上述槽主体的与上述多个基板的外缘部相向的至少一个侧壁上。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述至少一个气体喷嘴设置在上述槽主体的与上述多个基板的外缘部相向的两个侧壁上。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述至少一个气体喷嘴在高度方向上位于上述盖部和上述处理液喷嘴之间。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述多个处理液喷嘴设置在上述槽主体的与上述多个基板的外缘部相向的两个侧壁上,
上述至少一个气体喷嘴设置在上述槽主体内的与上述多个基板的主面相向的侧壁上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
上述盖部的上述下表面包含倾斜面,该倾斜面处于上述至少一个气体喷嘴附近,且随着离开上述至少一个气体喷嘴而朝向上方。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
在上述盖部和上述槽主体之间的间隙的外侧,还具有用于防止从上述间隙漏出处理液的遮蔽部或者用于回收所漏出的处理液的回收部。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有朝向变更机构,该朝向变更机构对上述至少一个气体喷嘴的朝向进行变更。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有控制部,该控制部在上述盖部打开上述搬入口以将多个基板搬入上述槽主体内之前,使气体从上述至少一个气体喷嘴喷出。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
上述处理液为硫酸过氧化氢水溶液。
11.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
a工序,在槽主体的上部的搬入口被盖部关闭的状态下,从至少一个气体喷嘴向上述盖部的下表面喷出气体;
b工序,打开上述搬入口;
c工序,以使相邻的基板的主面相向并以立起姿势排列的状态,将多个基板从上述搬入口搬入至上述槽主体内;
d工序,通过盖部关闭上述搬入口;
e工序,从多个处理液喷嘴向上述多个基板喷出处理液;
f工序,打开上述搬入口;
g工序,从上述搬入口搬出上述多个基板。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括在上述a工序之前从上述多个处理液喷嘴向上述槽主体内喷出上述处理液来调整上述处理液的温度的工序。
13.根据权利要求11所述的基板处理方法,其特征在于,
上述至少一个气体喷嘴设置在上述槽主体的与上述多个基板的外缘部相向的两个侧壁上,
在上述e工序中,从设置在上述两个侧壁上的气体喷嘴交替地喷出气体。
14.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
a工序,打开槽主体的上部的搬入口;
b工序,以使相邻的基板的主面相向并以立起姿势排列的状态,将多个基板从上述搬入口搬入至上述槽主体内;
c工序,通过盖部关闭上述搬入口;
d工序,从多个处理液喷嘴向上述多个基板喷出处理液;
e工序,与上述d工序的结束同时或者在上述d工序刚要结束之前或刚刚结束之后,开始从至少一个气体喷嘴向上述盖部的下表面喷出气体,并结束喷出上述气体;
f工序,打开上述搬入口;
g工序,从上述搬入口搬出上述多个基板。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
上述处理液为硫酸过氧化氢水溶液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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