[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201210544578.4 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103187339A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 武明励;难波敏光 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;郭晓东 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及在处理槽内处理多个基板的技术。
背景技术
一直以来,采用在处理槽内对多个基板进行清洗、蚀刻、抗蚀膜剥离等处理的基板处理装置。作为这样的基板处理装置,已知如下装置,即,在处理槽内贮存硫酸过氧化氢水溶液(Sulfuric Acid/Hydrogen Peroxide/WaterMixture,下面称为“SPM溶液”),并使多个基板同时浸渍(例如参照日本特开2007-49022号公报)。
另外,还已知如下基板水洗方法,即,将药液处理后的基板放入水洗槽内,一边使基板在水洗槽内上下摆动,一边从在水洗槽内相互相向而配置的喷嘴向基板的表面进行喷淋(shower)水洗(例如参照日本特开2000-183011号公报)。
但是,当如日本特开2000-183011号公报那样在处理槽内以喷淋状喷出处理液来进行处理时,处理液会附着于处理槽的盖部。当搬入接下来处理的预定的基板之后关闭盖部时,由于振动,处理液的液滴可能从盖部落至基板上。当液滴附着于基板时,液滴所包含的颗粒也附着于基板上,可能在基板上产生不良部位。
发明内容
本发明涉及基板处理装置。基板处理装置具有:槽主体,以使相邻的基板的主面相向并以立起姿势排列的状态,容置从上部的搬入口搬入的多个基板;盖部,对上述槽主体的上述搬入口进行开闭;多个处理液喷嘴,向上述槽主体内的上述多个基板喷出处理液;至少一个气体喷嘴,向上述盖部的下表面喷出气体。
根据本发明,能够防止或者减少处理液的液滴从盖部落至基板的情况。
在一个优选的方式中,上述至少一个气体喷嘴设置在上述槽主体的与上述多个基板的外缘部相向的至少一个侧壁上。
在其它一个优选的方式中,上述多个处理液喷嘴设置在上述槽主体的与上述多个基板的外缘部相向的两个侧壁上,上述至少一个气体喷嘴设置在上述槽主体内的与上述多个基板的主面相向的侧壁上。
优选为,上述盖部的上述下表面包含倾斜面,该倾斜面处于上述至少一个气体喷嘴附近,且随着离开上述至少一个气体喷嘴而朝向上方。
优选为,基板处理装置还具有控制部,该控制部在上述盖部打开上述搬入口以将多个基板搬入上述槽主体内之前,使气体从上述至少一个气体喷嘴喷出。
本发明也涉及基板处理方法。基板处理方法包括:a工序,在槽主体的上部的搬入口被盖部关闭的状态下,从至少一个气体喷嘴向上述盖部的下表面喷出气体;b工序,打开上述搬入口;c工序,以使相邻的基板的主面相向并以立起姿势排列的状态,将多个基板从上述搬入口搬入至上述槽主体内;d工序,通过盖部关闭上述搬入口;e工序,从多个处理液喷嘴向上述多个基板喷出处理液;f工序,打开上述搬入口;g工序,从上述搬入口搬出上述多个基板。
优选为,在上述a)工序之前,从上述多个处理液喷嘴向上述槽主体内喷出上述处理液来调整上述处理液的温度。
在基板处理方法的其它优选的方面,基板处理方法包括:a工序,打开槽主体的上部的搬入口;b工序,以使相邻的基板的主面相向并以立起姿势排列的状态,将多个基板从上述搬入口搬入至上述槽主体内;c工序,通过盖部关闭上述搬入口;d工序,从多个处理液喷嘴向上述多个基板喷出处理液;e工序,与上述d工序的结束同时或者在上述d工序刚要结束之前或刚要结束之后,开始从至少一个气体喷嘴向上述盖部的下表面喷出气体,并结束喷出上述气体;f工序,打开上述搬入口;g工序,从上述搬入口搬出上述多个基板。
通过参照附图以及下面将要进行的对本发明的详细的说明,来明确上述的目的以及其它目的、特征、方式以及优点。
附图说明
图1是基板处理装置的主视图。
图2是基板处理装置的侧视图。
图3是示出基板处理装置的结构的图。
图4示出基板处理装置的动作流程。
图5示出基板处理装置的动作流程。
图6示出气体喷嘴附近。
图7示出基板处理装置的动作流程的一部分。
图8简化示出了气体喷嘴的其它配置。
图9简化示出了气体喷嘴的其它配置。
图10简化示出了气体喷嘴的其它配置。
图11简化示出了气体喷嘴的其它配置。
图12示出了盖部的其它例子。
图13示出回收部。
其中,附图标记说明如下
1 基板处理装置
7 控制部
9 基板
11 槽主体
12 盖构件
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造