[发明专利]显示装置、阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板、位于基板上的栅电极、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极层、钝化层和像素电极层；所述有源层为金属氧化物半导体，所述栅极绝缘层和有源层之间具有金属氧化物绝缘层，所述栅极绝缘层贴近所述栅极，所述金属氧化物绝缘层贴近有源层。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物绝缘层的面积大于等于有源层的面积。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅电极为铜或铜合金。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一种，或是上述至少两种薄膜的复合结构。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物绝缘层为三氧化二铝薄膜、五氧化二钽薄膜或三氧化二钇薄膜。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层为IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO:F、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、TiO2:Nb或Cd-Sn-O。

7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一种，或是上述至少两种薄膜的复合结构。

8.如权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物绝缘层的厚度为

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。

10.一种制作权利要求1-8任一项阵列基板的工艺方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属膜，通过一次构图工艺形成包括栅电极的图案；

步骤2、在完成步骤1的基板上连续形成包括栅极绝缘层、金属氧化物绝缘层和金属氧化物半导体层的薄膜，通过构图工艺形成包括金属氧化物绝缘层的图案和金属氧化物半导体层的图案。

11.如权利要求10所述的工艺方法，其特征在于，

所述步骤2具体为在完成步骤1的基板上连续形成包括栅极绝缘层、金属氧化物绝缘层、金属氧化物半导体层、刻蚀阻挡层的薄膜，通过一次半色调或者灰色调掩膜版，采用多次刻蚀工艺形成包括部分金属氧化物绝缘层的图案、金属氧化物半导体层图案、刻蚀阻挡层图案、源漏电极与金属氧化物半导体层图案的接触区域图案。

12.如权利要求10所述的工艺方法，其特征在于，所述方法还包括：

步骤3、在完成步骤2的基板上形成源漏金属膜，通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极及数据线的图案；

步骤4、在完成步骤3的基板上形成钝化层，通过一次构图工艺形成源电极接触过孔；

步骤5、在完成步骤4的基板上沉积透明导电层，通过一次构图工艺形成透明导电像素电极。

13.如权利要求11所述的工艺方法，其特征在于，包括：

所述步骤2具体包括:

步骤211：通过PECVD方法连续沉积栅极绝缘层；

步骤212：在栅极绝缘层上通过溅射或热蒸发的方法连续依次沉积金属氧化物绝缘层和金属氧化物半导体层；

步骤213：通过PECVD方法沉积刻蚀阻挡层；

步骤214：通过一次半色调或者灰色调掩膜板曝光显影后，形成不透光区域，完成透光区域和部分透光区域；所述不透光区域对应于半导体保护部分，部分透光区域对应于源漏电极与半导体层接触部分；通过刻蚀工艺去除掉完全曝光区域的刻蚀阻挡层和半导体层；

步骤215：进行光刻胶的灰化工艺，去除部分透光区域的光刻胶；

步骤216：进行刻蚀工艺，去除掉部分曝光区域的刻蚀阻挡层，形成源漏电极与半导体层的接触部分。

14.如权利要求10所述的工艺方法，其特征在于，所述金属氧化物绝缘层的面积大于等于金属氧化物半导体层的面积。

15.如权利要求10所述的工艺方法，其特征在于，所述金属氧化物绝缘层为三氧化二铝薄膜、五氧化二钽薄膜或三氧化二钇薄膜。

16.如权利要求10-15任一项所述的工艺方法，其特征在于，包括：

所述金属氧化物绝缘层的厚度为