[发明专利]显示装置、阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。

背景技术

随着科学技术的发展，平板显示器已取代笨重的CRT显示器日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示器包括LCD（LiquidCrystal Display，液晶显示器）和OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）显示器。尤其是LCD平板显示器，由于其具有体积小、重量轻、厚度薄、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位，在各种大中小尺寸的产品上得到了广泛的应用，几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品，如液晶电视、电脑、手机、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、公共显示和虚幻显示等多个领域。

在成像过程中，LCD显示器中每一液晶像素点都由集成在TFT阵列基板中的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）来驱动，再配合外围驱动电路，实现图像显示；有源矩阵驱动式OLED（Active MatrixOrganic Light Emission Display，AMOLED）显示器中由TFT基板中的TFT驱动OLED面板中对应的OLED像素，再配合外围驱动电路，实现图像显示。在上述显示器中，TFT是控制发光的开关，是实现液晶显示器和OLED显示器大尺寸的关键，直接关系到高性能平板显示器的发展方向。

在现有平板显示器生产技术中，已实现产业化的TFT主要有非晶硅TFT、多晶硅TFT、单晶硅TFT等，用于制备平板显示器中阵列基板使用最多的是非晶硅TFT。目前，随着技术的发展，出现了金属氧化物TFT，金属氧化物TFT具有载流子迁移率高的优点，使得TFT可以做的很小，而使平板显示器的分辨率越高，显示效果越好；同时用金属氧化物TFT还具有特性不均现象少、材料和工艺成本降低、工艺温度低、可利用涂布工艺、透明率高、带隙大等优点，备受业界关注。

但现有的金属氧化物TFT中，使用低电阻Cu配线处于高温时，Cu离子会穿越栅极绝缘层，扩散到半导体层中，使得薄膜晶体管性能恶化；另外，当采用氮化物作为栅极绝缘层时，氮化物中的部分H离子会扩散到半导体层中，使得氧化物半导体层的性能急剧恶化，严重影响到TFT产品性能。

另外，目前制作金属氧化物TFT一般采用六次光刻工艺，主要是因为在刻蚀源漏金属电极时会腐蚀掉金属氧化物半导体层，因此，一般在金属氧化物半导体层上面增加一次刻蚀阻挡层，以便保护金属氧化物半导体层在刻蚀源漏金属电极的过程中不被源漏金属的刻蚀液腐蚀。一般来说，在制作金属氧化物TFT过程中所用掩模板的数量越少，生产效率越高，成本就越低。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是提供一种显示装置、阵列基板及其制作方法，以克服现有的阵列基板制作工艺复杂，且栅极绝缘层掺杂的氢基团以及低电阻Cu容易破坏器件的稳定性，导致影响产品良率的缺陷。

（二）技术方案

为了解决上述技术问题，本发明一方面提供一种阵列基板，包括：

基板、位于基板上的栅电极、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极层、钝化层和像素电极层；所述有源层为氧化物半导体，所述栅极绝缘层和有源层之间具有金属氧化物绝缘层，所述栅极绝缘层贴近所述栅极，所述金属氧化物绝缘层贴近有源层。

进一步地，所述金属氧化物绝缘层的面积大于等于有源层的面积。

进一步地，所述栅极为铜或铜合金。

进一步地，所述栅极绝缘层为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一种，或是上述至少两种薄膜的复合结构。

进一步地，所述金属氧化物绝缘层为三氧化二铝薄膜、五氧化二钽薄膜或三氧化二钇薄膜。

进一步地，所述有源层为IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO:F、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、TiO2:Nb或Cd-Sn-O。

进一步地，所述刻蚀阻挡层为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一种，或是上述至少两种薄膜的复合结构。

进一步地，所述金属氧化物绝缘层的厚度为

另一方面，本发明还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

再一方面，本发明还提供一种制作阵列基板的工艺方法，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属膜，通过一次构图工艺形成包括栅电极的图案；