[发明专利]控制FinFET结构中的鳍状件高度

权利要求书

1.一种器件，包括：

衬底；

在所述衬底的顶面的隔离区；以及

在所述隔离区上方的第一半导体鳍状件，其中所述第一半导体鳍状件具有小于约的鳍状件高度，并且其中所述鳍状件高度从所述第一半导体鳍状件的顶面到所述隔离区的顶面测量得到。

2.如权利要求1所述的器件，进一步包括与所述第一半导体鳍状件间隔开的第二半导体鳍状件，所述隔离区在所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件之间，其中所述第一半导体鳍状件的边缘和所述第二半导体鳍状件的边缘与所述隔离区的相对边缘大体对准。

3.如权利要求1所述的器件，进一步包括：

第一栅极介电层；

在所述第一栅极介电层上方的第一金属层；以及

在所述第一金属层上方的第一多晶硅层，其中所述第一栅极介电层、所述第一金属层以及所述第一多晶硅层在所述第一半导体鳍状件的顶面和侧壁上延伸。

4.如权利要求3所述的器件，进一步包括：

第二栅极介电层；

在所述第二栅极介电层上方的第二金属层；以及

在所述第二金属层上方的第二多晶硅层，其中所述第二栅极介电层、所述第二金属层以及所述第二多晶硅层与所述第一半导体鳍状件间隔开，并且在所述隔离区的部分上方而且覆盖所述隔离区的所述部分。

5.一种器件，包括：

半导体衬底；

与所述半导体衬底的表面邻接的浅沟槽隔离(STI)区；

第一半导体带和第二半导体带，所述第一半导体带和所述第二半导体带包括接触所述STI区的相对侧壁的侧壁；

第一半导体鳍状件和第二半导体鳍状件，分别在所述第一半导体带和所述第二半导体带上方并且邻接所述第一半导体带和所述第二半导体带，其中所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件的鳍状件高度小于约

6.如权利要求5所述的器件，其中所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件具有小于约的距离。

7.一种方法，包括：

在半导体衬底中形成浅沟槽隔离(STI)区，其中在所述STI区的相对侧的所述半导体衬底的部分形成半导体带；以及

对所述STI区开槽以形成凹槽，其中所述半导体带的上端部分形成第一半导体鳍状件和第二半导体鳍状件，所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件具有小于约的鳍状件高度，并且其中所述鳍状件高度从所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件的顶面到所述STI区的顶面测量得到。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述STI区以及所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件上方形成栅极介电层；

在所述栅极介电层上方形成金属层；

在所述金属层上方形成多晶硅层；以及

图案化所述多晶硅层、所述金属层以及所述栅极介电层以形成在所述第一半导体鳍状件的顶面和侧壁上的第一堆叠件以及在所述STI区的部分上方并且覆盖所述STI区的所述部分的第二堆叠件。

9.如权利要求8所述的方法，其中在所述图案化步骤之后，没有所述多晶硅层、所述金属层和所述栅极介电层的残留物残存在所述STI区上方，并且其中所述多晶硅层、所述金属层和所述栅极介电层的相对应边缘彼此对准。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述第二堆叠件不接触所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件。