[发明专利]控制FinFET结构中的鳍状件高度

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及控制FinFET结构中的鳍状件高度。

背景技术

随着日益缩减的集成电路尺寸以及日益增长的对集成电路速度的需求，晶体管需要具有较小的尺寸并且具有较高的驱动电流。因此开发了鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET晶体管具有增大的沟道宽度。通过形成包括鳍状件侧壁上的部分和鳍状件顶面上的部分的沟道实现沟道宽度的增大。由于晶体管的驱动电流与沟道宽度成比例，因此增大了FinFET的驱动电流。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种器件，包括：

衬底；

在所述衬底的顶面的隔离区；以及

在所述隔离区上方的第一半导体鳍状件，其中所述第一半导体鳍状件具有小于约的鳍状件高度，并且其中所述鳍状件高度从所述第一半导体鳍状件的顶面到所述隔离区的顶面测量得到。

在可选实施方式中，所述器件进一步包括与所述第一半导体鳍状件间隔开的第二半导体鳍状件，所述隔离区在所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件之间，其中所述第一半导体鳍状件的边缘和所述第二半导体鳍状件的边缘与所述隔离区的相对边缘大体对准。

在可选实施方式中，所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件具有小于约的距离。

在可选实施方式中，所述鳍状件高度与所述距离的比值小于约13。

在可选实施方式中，所述器件进一步包括：第一栅极介电层；在所述第一栅极介电层上方的第一金属层；以及在所述第一金属层上方的第一多晶硅层，其中所述第一栅极介电层、所述第一金属层以及所述第一多晶硅层在所述第一半导体鳍状件的顶面和侧壁上延伸。

在可选实施方式中，所述器件进一步包括：第二栅极介电层；在所述第二栅极介电层上方的第二金属层；以及在所述第二金属层上方的第二多晶硅层，其中所述第二栅极介电层、所述第二金属层以及所述第二多晶硅层与所述第一半导体鳍状件间隔开，并且在所述隔离区的部分上方而且覆盖所述隔离区的所述部分。

在可选实施方式中，所述隔离区和所述第二多晶硅层的最近边缘的多晶硅至OD间距大于约

在可选实施方式中，所述器件进一步包括在所述第一半导体鳍状件下方并且连接所述第一半导体鳍状件的半导体带，其中所述半导体带的边缘接触所述隔离区的边缘，并且其中所述半导体带和所述第一半导体鳍状件由相同的半导体材料形成。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种器件，包括：

半导体衬底；

与所述半导体衬底的表面邻接的浅沟槽隔离(STI)区；

第一半导体带和第二半导体带，所述第一半导体带和所述第二半导体带包括接触所述STI区的相对侧壁的侧壁；

第一半导体鳍状件和第二半导体鳍状件，分别在所述第一半导体带和所述第二半导体带上方并且邻接所述第一半导体带和所述第二半导体带，其中所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件的鳍状件高度小于约

在可选实施方式中，所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件具有小于约的距离。

在可选实施方式中，所述器件进一步包括：第一栅极介电层；在所述第一栅极介电层上方的第一金属层；以及在所述第一金属层上方的第一多晶硅层，其中所述第一栅极介电层、所述第一金属层以及所述第一多晶硅层在所述第一半导体鳍状件的顶面和侧壁上延伸。

在可选实施方式中，所述器件进一步包括：在所述STI区上方的第二栅极介电层；在所述第二栅极介电层上方的第二金属层；以及在所述第二金属层上方的第二多晶硅层，其中所述第二栅极介电层、所述第二金属层以及所述第二多晶硅层在所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件之间并且与所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件间隔开。

在可选实施方式中，所述第一半导体带和所述第二半导体带以及所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件由相同的半导体材料形成。

根据本发明实施例的又一个方面，还提供了一种方法，包括：

在半导体衬底中形成浅沟槽隔离(STI)区，其中在所述STI区的相对侧的所述半导体衬底的部分形成半导体带；以及

对所述STI区开槽以形成凹槽，其中所述半导体带的上端部分形成第一半导体鳍状件和第二半导体鳍状件，所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件具有小于约的鳍状件高度，并且其中所述鳍状件高度从所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件的顶面到所述STI区的顶面测量得到。