[发明专利]一种高频水平双扩散结构半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种高频水平双扩散结构半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在完成刻蚀栅氧化层之后的第一区域沟道和第三区域沟道内生长热氧化层，其中，所述第一区域沟道和所述第三区域沟道形成于外延层上；

通过对所述第一区域和所述第三区域注入符合第一剂量的第一离子，以形成源区和漏区；

往置放有所述半导体器件的加工炉中通入符合第一预设条件的混合气体，以对所述半导体器件进行第一退火处理，使得在形成所述源区和漏区过程中对所述热氧化层造成的损伤得到修复。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在第一区域沟道和第三区域沟道内生长热氧化层之前，所述方法还包括：

在多晶硅层表面生成第一阻挡层，其中，所述多晶硅层覆盖于由所述第一区域、第二区域和所述第三区域构成的所述外延层上；

对所述第一区域和所述第三区域中的所述多晶硅层和所述第一阻挡层进行刻蚀，形成对应所述第一区域中的所述第一区域沟道和对应所述第三区域中的所述第三区域沟道，使得所述第二区域对应的所述多晶硅层和所述第一阻挡层得以保留；

对所述第一区域沟道和所述第三区域沟道内的所述栅氧化层进行刻蚀。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述往置放有所述半导体器件的加工炉中通入符合第一预设条件的混合气体之后，所述方法还包括：

对所述第二区域中的所述第一阻挡层进行刻蚀；

在所述第二区域中的所述多晶硅层表面沉积第一金属；

对置放于所述加工炉中的所述半导体器件进行符合第二预设条件的第二退火处理，以形成金属硅化物；

清除所述多晶硅层表面未反应的所述第一金属。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述清除所述多晶硅层表面未反应的所述第一金属之后，所述方法还包括：

对置放于所述加工炉中的所述半导体器件进行符合第三预设条件的第三退火处理；

在所述第一区域沟道和所述第三区域沟道内的热氧化层表面以及所述第二区域中的所述金属硅化物表面生成第二阻挡层；

在所述第二阻挡层表面沉积第二金属，以形成场板层。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述在多晶硅层表面生成第一阻挡层之前，所述方法还包括：

在所述外延层表面生长所述栅氧化层；

在所述栅氧化层表面沉积所述多晶硅层。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述对所述第一区域和所述第三区域中的所述多晶硅层和所述第一阻挡层进行刻蚀之后，所述方法还包括：

通过对所述第一区域注入符合第二剂量的第二离子，以形成阱；

对所述半导体器件进行推阱处理，以使所述阱达到预设结深。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设条件具体为：1个大气压下，通入速度为2~10升/分钟，通入时间为30~60分钟。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合气体为气体体积比为1:1的氢气和氧气的混合物。

9.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一金属具体为钛或钴或镍。

10.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述进行符合第二预设条件的第二退火处理，具体包括：

将所述加工炉升温到第一温度值，并使其在第一预设时间内保持所述第一温度值；

在第二预设时间内将所述加工炉的温度从所述第一温度值降到第二温度值。

11.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述进行符合第三预设条件的第三退火处理，具体包括：

将所述加工炉升温到第三温度值，并使其在第三预设时间内保持所述第三温度值；

在第四预设时间内将所述加工炉的温度从所述第三温度值降到第四温度值。

12.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第二阻挡层表面沉积第二金属，以形成场板，具体包括：

在所述第二阻挡层表面沉积第二金属；

对所述第二金属进行光刻，以形成场板。