[发明专利]一种高频水平双扩散结构半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

本申请属于半导体器件制造领域，具体涉及一种高频水平双扩散结构半导体器件的制造方法。

背景技术

RFLDMOS，即高频水平双扩散结构半导体，其不但具有良好的电学特性，而且可以与现有CMOS集成电路工艺完全兼容，易于实现大规模射频集成电路。目前，RFLDMOS被广泛应用于手机基站、广播电视和雷达等领域。

在制造RFLDMOS的过程中，传统工艺利用低压化学气相沉积方法来制作沟道区域内外延层表面的第一氧化层，使得所述第一氧化层厚度较厚，通常为1500A左右，进而使场板和多晶硅层之间的横向距离以及场板与有源区的纵向距离较大，导致半导体器件耐压性和频率特性较差。现有技术，可以通过热氧化工艺形成所述第一氧化层，即生成热氧化层代替传统工艺的第一氧化层，从而使氧化层的厚度降到150A左右。

本申请发明人在实现本申请实施例技术方案的过程中，至少发现现有技术中存在如下技术问题：

现有技术中，由于源区和漏区的注入，使得半导体器件存在注入损伤的技术问题；

进而，由于存在注入损伤，氧化层上原子分布杂乱、质地疏松，甚至会出现空洞，使得在接下来沉积金属的过程中，所述氧化层不能阻止金属和多晶硅发生反应，这样，源区或者多晶硅层内壁会留有金属硅化物，使得半导体器件在工作中存在短路的技术问题，从而导致器件失效。

发明内容

本发明实施例提供一种高频水平双扩散结构半导体器件的制造方法，用于解决现有技术中由于源区和漏区的注入，半导体器件会存在注入损伤的技术问题，实现了修复注入损伤，使半导体器件能够正常工作的技术效果。

一种高频水平双扩散结构半导体器件的制造方法，包括：

在完成刻蚀栅氧化层之后的第一区域沟道和第三区域沟道内生长热氧化层，其中，所述第一区域沟道和所述第三区域沟道形成于外延层上；

通过对所述第一区域和所述第三区域注入符合第一剂量的第一离子，以形成源区和漏区；

往置放有所述半导体器件的加工炉中通入符合第一预设条件的混合气体，以对所述半导体器件进行第一退火处理，使得在形成所述源区和漏区过程中对所述热氧化层造成的损伤得到修复。

进一步的，在所述在第一区域沟道和第三区域沟道内生长热氧化层之前，所述方法还包括：

在多晶硅层表面生成第一阻挡层，其中，所述多晶硅层覆盖于由所述第一区域、第二区域和所述第三区域构成的所述外延层上；

对所述第一区域和所述第三区域中的所述多晶硅层和所述第一阻挡层进行刻蚀，形成对应所述第一区域中的所述第一区域沟道和对应所述第三区域中的所述第三区域沟道，使得所述第二区域对应的所述多晶硅层和所述第一阻挡层得以保留；

对所述第一区域沟道和所述第三区域沟道内的所述栅氧化层进行刻蚀。

进一步的，在所述往置放有所述半导体器件的加工炉中通入符合第一预设条件的混合气体之后，所述方法还包括：

对所述第二区域中的所述第一阻挡层进行刻蚀；

在所述第二区域中的所述多晶硅层表面沉积第一金属；

对置放于所述加工炉中的所述半导体器件进行符合第二预设条件的第二退火处理，以形成金属硅化物；

清除所述多晶硅层表面未反应的所述第一金属。

进一步的，在所述清除所述多晶硅层表面未反应的所述第一金属之后，所述方法还包括：

对置放于所述加工炉中的所述半导体器件进行符合第三预设条件的第三退火处理；

在所述第一区域沟道和所述第三区域沟道内的热氧化层表面以及所述第二区域中的所述金属硅化物表面生成第二阻挡层；

在所述第二阻挡层表面沉积第二金属，以形成场板层。

进一步的，在所述在多晶硅层表面生成第一阻挡层之前，所述方法还包括：

在所述外延层表面生长所述栅氧化层；

在所述栅氧化层表面沉积所述多晶硅层。

进一步的，在所述对所述第一区域和所述第三区域中的所述多晶硅层和所述第一阻挡层进行刻蚀之后，所述方法还包括：

通过对所述第一区域注入符合第二剂量的第二离子，以形成阱；

对所述半导体器件进行推阱处理，以使所述阱达到预设结深。

进一步的，所述第一预设条件具体为：1个大气压下，通入速度为2~10升/分钟，通入时间为30~60分钟。

进一步的，所述混合气体为气体体积比为1∶1的氢气和氧气的混合物。

进一步的，所述第一金属具体为钛或钴或镍。