[发明专利]一种QFN封装器件的制造方法

权利要求书

1.一种QFN封装器件的制造方法，包括以下步骤：

（a）采用曝光显影方法，在金属基材下表面形成具有窗口的掩膜材料层；

（b）采用电镀方法在金属基材下表面掩膜材料层的窗口中制作外芯片载体和外引脚；

（c）采用电镀或者化学镀方法在外芯片载体和外引脚的表面制作第一金属材料层；

（d）移除金属基材下表面的掩膜材料层，形成凹槽；

（e）采用注塑或者丝网印刷方法在外芯片载体与外引脚之间、外引脚与外引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料；

（f）采用机械磨削方法减薄金属基材的厚度；

（g）采用电镀或化学镀方法在减薄后的金属基材上表面制作第二金属材料层；

（h）采用刀片切割、激光切割或者水刀切割方法切割减薄后的金属基材，形成具有台阶结构的芯片载体和引脚，芯片载体包括内芯片载体和外芯片载体，引脚包括内引脚和外引脚；

（i）通过粘贴材料将IC芯片配置于内芯片载体或内引脚表面的第二金属材料层上；

（j）IC芯片上的多个键合焊盘通过金属导线分别连接至内芯片载体和内引脚配置的第二金属材料层；

（k）采用注塑方法用塑封材料包覆密封IC芯片、粘贴材料、金属导线、内芯片载体、内引脚和第二金属材料层，塑封后进行烘烤后固化；

（l）分离形成独立的单个封装件。

2.根据权利要求1所述的QFN封装器件的制造方法，其特征在于，采用电镀方法制作的外引脚和外芯片载体的厚度范围为0.05mm-0.15mm。

3.根据权利要求1所述的QFN封装器件的制造方法，其特征在于，采用切割方法形成的内芯片载体和内引脚的厚度范围为0.05mm-0.15mm。

4.根据权利要求1所述的QFN封装器件的制造方法，其特征在于，采用绝缘填充材料和塑封材料进行二次包覆密封。

5.根据权利要求1所述的QFN封装器件的制造方法，其特征在于，采用刀片切割、激光切割或者水刀切割方法切割分离形成单个封装件，且仅切割塑封材料和绝缘填充材料。