[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底为绝缘体上硅衬底，包括底部硅层、位于所述底部硅层上的绝缘层、位于所述绝缘层上的顶部硅层；

在所述半导体衬底上形成第一鳍部、第二鳍部，所述第一鳍部的上表面高于所述第二鳍部的上表面；

形成横跨所述第一鳍部的第一栅介质层和位于第一栅介质层上的第一栅极、横跨第二鳍部的第二栅介质层和位于第二栅介质层上的第二栅极；

形成层间介质层，覆盖所述衬底、第一栅极、第二栅极；

去除所述第一鳍部上的层间介质层、第一鳍部上的第一栅介质层、第一鳍部上的第一栅极、第二栅极上的层间介质层；

其中，所述形成第一鳍部和第二鳍部的方法，包括：

根据待形成的第一鳍部、第二鳍部的位置，将所述顶部硅层分成第一顶部硅层和第二顶部硅层，第一顶部硅层对应形成第一鳍部，第二顶部硅层对应形成第二鳍部；

去除部分高度的第二顶部硅层；

图形化所述第一顶部硅层和去除了部分高度的第二顶部硅层，形成第一鳍部和第二鳍部。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：在第一鳍部上形成第一掩模层；

形成第一鳍部上的第一掩模层的方法，包括：

在去除部分高度的第二顶部硅层之前，在所述第一顶部硅层上形成掩膜层；

以所述掩模层为掩模，刻蚀去除部分高度的第二顶部硅层；

图形化所述第一顶部硅层时，还图形化所述掩模层，形成了位于第一鳍部上的第一掩膜层。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩模层的材料包括：

氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、无定形碳或氮化硼。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：在第一鳍部上形成第一掩模层，在第二鳍部上形成第二掩模层；

形成所述第一鳍部上的第一掩模层、第二鳍部上的第二掩模层的方法，包括：

在去除部分高度的第二顶部硅层后，在第一顶部硅层和去除了部分高度的第二顶部硅层上沉积掩模层，位于第一顶部硅层上掩膜层部分为第一掩膜层部分，位于去除了部分高度的第二顶部硅层上的掩膜层为第二掩膜层部分；

图形化所述第一顶部硅层和去除了部分高度的第二顶部硅层时，也图形化所述第一掩膜层部分、第二掩膜层部分，形成位于第一鳍部上的第一掩膜层、位于第二鳍部上的第二掩膜层。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述图形化第一掩模层部分、第二掩模层部分、第一顶部硅层、去除了部分高度的第二顶部硅层的方法，包括：

在所述第二掩模层部分上形成第三掩模层，所述第三掩模层的上表面与第一掩模层部分的上表面持平；

在第一掩模层部分和第三掩模层上形成图形化的光刻胶层，定义待形成的第一鳍部和第二鳍部的位置；

以所述图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀第一掩模层部分、第二掩模层部分、第一顶部硅层、去除了部分高度的第二顶部硅层和第三掩模层，剩余第三掩模层为图形化的第三掩模层；

去除所述图形化的光刻胶层；

去除所述图形化的第三掩模层。

6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，去除部分高度的第二顶部硅层的方法，包括：在所述顶部硅层上形成图形化的掩模层，暴露所述第二顶部硅层的位置；

以所述图形化的掩模层为掩模，刻蚀部分高度的第二顶部硅层；

去除图形化的掩模层。

7.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩模层和第二掩模层的材料包括：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、无定形碳或氮化硼。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述第一鳍部上的层间介质层、第一鳍部上的第一栅介质层、第一鳍部上的第一栅极、第二栅极上的层间介质层的方法，包括：化学机械抛光或回刻工艺。