[发明专利]PMOS晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；

在所述栅极结构的侧壁上形成主侧墙；

氧化主侧墙两侧的半导体衬底表面，形成第一氧化层；

去除所述第一氧化层，在半导体衬底内形成第一凹槽；

在主侧墙侧面以及第一凹槽的侧壁上形成伪侧墙；

氧化伪侧墙两侧第一凹槽内的半导体衬底表面，形成第二氧化层；

去除所述第二氧化层，在半导体衬底内形成与第一凹槽贯通的第二凹槽，所述第二凹槽的线宽小于第一凹槽的线宽；

去除所述伪侧墙；

在凹槽内填充满锗硅层。

2.如权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，形成第一氧化层和第二氧化层的方法为等离子体增强化学气相沉积工艺。

3.如权利要求2所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积工艺的压强为1torr~100torr，功率为50W~1500W，气体流量为100sccm~20000sccm，温度为100℃~600℃。

4.如权利要求2所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积工艺的反应气体为氧气或者臭氧。

5.如权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，在去除所述伪侧墙之前，还包括：按形成第二凹槽的方法，在半导体衬底内依次形成线宽递减的若干个凹槽。

6.如权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述伪侧墙的厚度为10nm~20nm。

7.如权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述主侧墙的材料为氮化硅。

8.如权利要求7所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述伪侧墙的材料为无定形碳。

9.如权利要求8所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述伪侧墙的方法为灰化工艺。

10.如权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述主侧墙的材料为无定形碳。

11.如权利要求10所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述伪侧墙的材料为氮化硅或者碳氮化硅。

12.如权利要求11所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述伪侧墙的方法为干法刻蚀。

13.如权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述氧化层的方法为干法刻蚀。

14.如权利要求13所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀气体为含氟气体。

15.如权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述氧化层的方法为湿法刻蚀。

16.如权利要求15所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的溶液为氢氟酸溶液。

17.如权利要求1所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：位于半导体衬底上的栅介质层和位于所述栅介质层上的栅极。

18.如权利要求17所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，在所述栅极结构的侧壁上形成主侧墙之前，还包括：在所述栅极的顶部形成停止层。

19.一种PMOS晶体管，包括：半导体衬底、位于半导体衬底上的栅极结构、位于栅极结构侧壁上的主侧墙和位于主侧墙两侧半导体衬底内的锗硅层，其特征在于，所述锗硅层呈线宽逐渐减小的阶梯状。