[发明专利]片式膜衰减器薄膜制作方法

权利要求书

1.一种片式膜衰减器薄膜制作方法，其特征在于，包括丝网制作、印刷表电极、印刷背电极、印刷电阻体、印刷阻挡层、激光调阻、裂片、端涂、电镀，具体制作方法如下：

1）、选取陶瓷基片：在100～120℃下将陶瓷基片表面均匀涂抹黄蜡，在0.2～0.5MPa压力下水冷冷却；研磨；抛光，要求陶瓷基片厚度大于等于0.37毫米；清洗；烘干待用；

2）、在陶瓷基片上印刷表、背电极，850℃烧成；

3）、溅射：选用上海交大低阻镍铬靶、中阻镍铬铝靶或北京合纵纯钽靶作为溅射电阻体的靶材，以离子溅射方式，时间为6～40分钟，阳极电压为40～65伏，加速栅电压为75～155伏，中和电压为4～6伏，基片加热温度为0～300℃条件下进行溅射电阻体；采用分步溅射与分步热处理；

4）、光刻：进行涂胶；在80～100℃的烘箱中烘烤28～34分钟，或者在92～115℃热板上烘烤80～100秒；15秒±5秒时间的曝光；刻蚀；去胶；最后放入110～130℃的烘箱中烘干3～7分钟；

5）、热处理：在280～600℃下热处理，时间为达到设定温度后恒温0.5～5小时；然后室内放置20分钟；

6）、激光调阻：采用逐次逼近法对三个电阻从不同方向上切割调阻，其中对调阻精度小于B级的产品采用P型直接调至目标阻值；对调阻精度为B级及以上的产品，先按P型粗调进行切割，然后于185～215℃烘箱中热储存6～24小时，储存后的产品按S型精调至目标阻值；

7）、按常规方式依次进行一次裂片；涂银；二次裂片；电镀。

2.根据权利要求1所述的片式膜衰减器薄膜制作方法，其特征在于：所述抛光时，在抛光皮上喷有洗洁精与水体积比为1：20的洗洁精稀释液以清洁陶瓷基片；无尘纸擦拭干净。

3.根据权利要求1所述的片式膜衰减器薄膜制作方法，其特征在于：所述抛光后的陶瓷基片通过周转花篮放入水壶中，并用电磁炉在风扇通风条件下微热10～20分钟，取出陶瓷基片放入140～160℃烘箱内烘烤3～6分钟。

4.根据权利要求1所述的片式膜衰减器薄膜制作方法，其特征在于：在溅射工序中，采用直接溅射镍和上海交大低阻镍铬靶材方式；采用溅射和辅助溅射中阻镍铬铝靶和镍硅靶材方式；采用光刻工艺溅射镍电极层。