[发明专利]片式膜衰减器薄膜制作方法

说明书

技术领域

本发明属于衰减器的制作方法，具体涉及一种片式膜衰减器薄膜制作方法。 

背景技术

衰减器是一类用在传输系统中降低信号电平，而不使信号产生显著畸变的无源网络。它可以用于对信号源去藕，目的是为了调节电路的传输电平，或用以缓冲阻抗变换的影响，有时也为了改善阻抗匹配。目前，衰减器已经极为广泛地应用于无线电测试仪器、仪表、传输线、标准衰减器及邮电、通讯、信号载波、电视、计算机等系统之中。电阻型厚膜衰减器具有设计灵活、性能稳定、高频性能好、装配方便、可靠性高、特性阻抗与衰减量精度高等特点。 

片式膜衰减器与传统组合多个片式电阻器构成的衰减器相比较，能够大幅度减少安装面积、重量、器件数量等。电路上的焊点少，提高了衰减器的可靠性。电极成C字型的贴面安装型，便于自动化安装，能在从低频到高频的宽频带中使用。其基本结构与一般的薄膜式电阻器一样，精度高、性能稳定、可靠性高。 

电子信息整机设计人员如果采用“T”型结方法，难选用电阻器元件，而且因元件参数指标不一致阻值精度可能是正偏差或负偏差，降低了整机技术指标，近年来，广大整机设计人员正从“T”型结过渡到使用厚薄膜电阻型衰减器和组合衰减器，使仪器仪表和电子信息设备的重量轻、体积小、性能更优良。由于组合衰减器的电阻值范围是非常标准的，如果采用分立元件将不可避免地带来温度系数不一致的现象，影响特性阻抗和衰减量精度。因此，有必要设计一种全新的制作工艺方法来成批量制作大电流、电功率、耐高温、耐高压的衰减器系列。 

发明内容

针对上述现有技术中的不足之处，本发明旨在提供一种片式膜衰减器薄膜制作方法，能够大幅度减少安装面积，重量，器件数量等，且缩小了体积，特别是生产出的衰减器具有设计灵活、性能稳定、高频性能好、装配方便、可靠性高、特性阻抗与衰减量精度高等特点。 

本发明的技术方案：一种片式膜衰减器薄膜制作方法，其包括丝网制作、印刷表电极、印刷背电极、印刷电阻体、印刷阻挡层、激光调阻、裂片、端涂、电镀，具体制作方法如下： 

1）、选取陶瓷基片：在100～120℃下将陶瓷基片表面均匀涂抹黄蜡，在0.2～0.5MPa压力下水冷冷却；研磨；抛光，要求陶瓷基片厚度大于等于0.37毫米；清洗；烘干待用； 

2）、在陶瓷基片上印刷表、背电极，850℃烧成； 

3）、溅射：选用上海交大低阻镍铬靶、中阻镍铬铝靶或北京合纵纯钽靶作为溅射电阻体的靶材，以离子溅射方式，时间为6～40分钟，阳极电压为40～65伏，加速栅电压为75～155伏，中和电压为4～6伏，基片加热温度为0～300℃条件下进行溅射电阻体；采用分步溅射与分步热处理； 

4）、光刻：进行涂胶；在80～100℃的烘箱中烘烤28～34分钟，或者在92～115℃热板上烘烤80～100秒；15秒±5秒时间的曝光；刻蚀；去胶；最后放入110～130℃的烘箱中烘干3～7分钟； 

5）、热处理：在280～600℃下热处理，时间为达到设定温度后恒温0.5～5小时；然后室内放置20分钟； 

6）、激光调阻：采用逐次逼近法对三个电阻从不同方向上切割调阻，其中对调阻精度小于B级的产品采用P型直接调至目标阻值；对调阻精度为B级及以上的产品，先按P型粗调进行切割，然后于185～215℃烘箱中热储存6～24小时，储存后的产品按S型精调至目标阻值； 

7）、按常规方式依次进行一次裂片；涂银；二次裂片；电镀。 

进一步的，所述抛光时，在抛光皮上喷有洗洁精与水体积比为1：20的洗洁精稀释液以清洁陶瓷基片；无尘纸擦拭干净。 

所述抛光后的陶瓷基片通过周转花篮放入水壶中，并用电磁炉在风扇通风条件下微热10～20分钟，取出陶瓷基片放入140～160℃烘箱内烘烤3～6分钟。 

在溅射工序中，采用直接溅射镍和上海交大低阻镍铬靶材方式；采用溅射和辅助溅射中阻镍铬铝靶和镍硅靶材方式；采用光刻工艺溅射镍电极层。 

本发明的有益效果：采用本制作方法的薄膜工艺，提高了产品的精度、可靠性和稳定性，所制作的片式膜衰减器与组合多个分立片式电阻器构成的衰减器相比较，能够大幅度减少安装面积，重量，器件数量等，缩小了体积，且不 会因为温度的变化，带来特性阻抗和衰减量精度的改变；电阻温度系数低，低噪声，工作频段较宽。 

总结来说，本薄膜制作方法制作的片式膜衰减器具有设计灵活、性能稳定、高频性能好、装配方便、可靠性高、特性阻抗与衰减量精度高等特点。 

具体实施方式