[发明专利]有机发光二极管像素电路、驱动方法及其显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管像素电路、驱动方法及其显示面板。

背景技术

有源矩阵驱动有机发光显示器件（AMOLED）作为一种新型显示器件，由于具备主动发光、对比度更高、响应更快和体积更薄等突出优点，已被应用于诸多高性能和大尺寸显示中，并逐步成为显示领域的新兴代表力量。

AMOLED多采用低温多晶硅（LTPS）工艺实现其像素和驱动电路。与一般非晶硅（amorphous-Si）工艺相比，LTPS薄膜晶体管具有更高的迁移率和更稳定的特性，更适用于AMOLED显示。但是，因为LTPS制造工艺的限制，薄膜晶体管的阈值电压和迁移率等电学参数的均一性和稳定性不佳，导致流经OLED的驱动电流发生波动，造成OLED的显示亮度不均匀。另一方面，在大尺寸显示应用中，所有像素驱动电流均由同一背板电源VDD提供，而背板上的电源线存在一定电阻，因此远离VDD区域的电源电压将低于靠近VDD区域的电源电压。这种电压差异（IR Drop）会造成不同区域像素的驱动电流差异，导致产生AMOLED显示亮度的长程不均匀问题。

因此，如何将上述技术问题加以解决，而提供一种有机发光二极管像素电路、驱动方法及其显示面板即为本领域技术人员的研究方向所在。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种有机发光二极管像素电路、驱动方法及其显示面板，其使得流经OLED器件的驱动电流与驱动薄膜晶体管的阈值电压和背板电源无关。因此消除了驱动薄膜晶体管的阈值电压不均匀性以及背板电源的IR Drop所导致的发光不均匀问题。

为了达到上述目的，本发明提供一种有机发光二极管像素电路，其包括：有机发光二极管、第一薄膜晶体管及电流转换模块，其中：

所述有机发光二极管，其阳极连接至背板电源，阴极连接所述电流转换模块；

所述第一薄膜晶体管，其栅极连接至行扫描电压信号，源极连接至数据电压信号，漏极连接所述电流转换模块；

所述电流转换模块，其连接所述有机发光二极管的阴极及发光控制信号，用于将外加电压转换为有机发光二极管的驱动电流，并且该驱动电流与背板电源及驱动薄膜晶体管的阈值电压无直接关联。

其中，所述电流转换模块包括：第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管及第五薄膜晶体管及第一电容器，其中：

所述第二薄膜晶体管，其栅极连接至行扫描信号，源极连接至一第一节点，漏极分别与第三薄膜晶体管的第一极和第四薄膜晶体管的漏极连接；

所述第三薄膜晶体管，其栅极连接至发光控制信号，第二极连接至有机发光二极管的阴极，第一极分别与第二薄膜晶体管的漏极和第四薄膜晶体管的漏极连接；

所述第四薄膜晶体管，其栅极在一第一节点处分别与第二薄膜晶体管的源极、第一电容器的第一端连接，源极在一第二节点处分别与第一薄膜晶体管的漏极和第五薄膜晶体管的第二极连接，漏极分别与第二薄膜晶体管的漏极和第三薄膜晶体管的第一极连接；

所述第五薄膜晶体管，其栅极连接至发光控制信号，第一极与接地极连接，第二极连接至一第二节点；

所述第一电容器，其第一端在第一节点处分别与第二薄膜晶体管的源极和第四薄膜晶体管的栅极连接，第二端连接至接地极。

其中，所述的补偿模块还包括一第二电容器，其第一端连接至行扫描电压信号，第二端和第一电容器的第一端连接。

其中，所述的第一电容器为存储电容，其电容值大于所述第二电容器的电容值。

其中，所述的第一电容器的电容值设定为所述的第二电容器的电容值的10倍以上。

其中，所述第四薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管及所述第五薄膜晶体管均为开关薄膜晶体管。

其中，所述的驱动薄膜晶体管为一个N型薄膜晶体管，所述的开关薄膜晶体管为一个或多个N型薄膜晶体管。

本发明还提供一种显示面板，其包括上述任一项权利要求所述的有机发光二极管像素电路，所述像素电路形成在一阵列背板上，所述的阵列背板上设置有多条数据线、多条扫描线、电源线及驱动芯片，所述的多条数据线和扫描线用于限定所述像素电路，所述驱动芯片用于给数据线、扫描线和发光控制线提供时序信号，并为电源线提供电源信号。

本发明还提供一种有机发光二极管像素电路的驱动方法，其通过上述像素电路实现的，其包括如下步骤：

步骤S1：分别施加一高电平至行扫描信号和发光控制信号；

步骤S2：施加一低电平至发光控制信号，同时施加一高电平至行扫描电压信号；