[发明专利]有机发光显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201210557135.9 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN103123956A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 奚鹏博 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,包含有:
提供一第一基板,具有一第一内表面;
于该第一内表面的该第一基板上形成一黑色矩阵,且该黑色矩阵具有至少一显示开口,分别暴露出该第一基板;
于该第一内表面的该第一基板上形成一图案化彩色滤光层,具有至少一第一区块与一第二区块,该第一区块覆盖于该显示开口的该第一基板上,该第二区块设置在该黑色矩阵上;
于该第一内表面的该第一基板上形成一第一保护层,覆盖该图案化彩色滤光层与该黑色矩阵,且该第一保护层具有一第一凹陷,其中该第一凹陷位于该图案化彩色滤光层的该第一区块的上方,且对准该显示开口;
于该第一保护层上形成一第一间隙物,且该第一间隙物位于该图案化彩色滤光层的该第二区块上方;以及
组装该第一基板与一第二基板,该第二基板具有一第二内表面,面向该第一基板的该第一内表面,该第二基板具有一有机发光显示元件,设置在该第二内表面的该第二基板上,且对准该显示开口。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,该第一保护层利用一半色调光罩或一灰阶光罩形成该第一凹陷。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,第一凹陷的底部与该有机发光显示元件之间具有一间隙,介于5微米至30微米之间。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,该第一保护层具有一厚度,介于1微米至30微米之间。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,该第一保护层具有一厚部与一薄部,且该薄部位于该第一凹陷的底部。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,该第一凹陷具有一深度,介于1微米至3微米之间。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,该第一间隙物具有一高度,介于1微米至10微米之间。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,另包含于该第一保护层上覆盖一第二保护层。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,有机发光显示元件包含:
一主动元件,设置于该第二内表面的该第二基板上;以及
一有机发光二极管,设置于该第二内表面的该第二基板上,该有机发光二极管至少包含一第一电极、一发光层与一第二电极,该发光层设置在该第一电极与该第二电极之间,该第一电极电性连接该主动元件。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,另包含于该主动元件与该第一电极上形成一挡墙,且该挡墙具有一开口,暴露出该第一电极。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,该第二电极覆盖该开口中的该第一电极,且具有一第二凹陷,对准该开口。
12.根据权利要求10所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,形成该有机发光显示元件的步骤另包含有于该挡墙上形成一第二间隙物。
13.根据权利要求9所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,另包含有:
于形成该第一间隙物的步骤之前,于该第一保护层上形成一金属图案层,且该金属图案层位于该第一间隙物与该第一保护层之间;以及
于形成该第一间隙物的步骤之后,于该第一保护层、该金属图案层与该第一间隙物上覆盖一透明电极层。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,该第二电极电性连接该透明电极层。
15.根据权利要求13所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,另包含有形成一第二间隙物,设置在该第二电极与该第二基板之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择