[发明专利]互连线结构及互连线结构的形成方法

权利要求书

1.一种互连线结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有半导体器件；

通过化学气相沉积或热氧化生长工艺在所述半导体衬底上形成层间介质层；

在所述层间介质层上形成导电层；

在形成所述导电层后，在导电层上形成图形化的光刻胶层，且导电层和光刻胶层之间不含有其它层，以图形化的光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀工艺，刻蚀导电层和部分层间介质层，且不暴露半导体衬底，从而在导电层和层间介质层中形成沟槽，沟槽两侧的金属层作为金属互连线，所述沟槽的深度小于所述导电层和所述层间介质层的厚度之和；

所述层间介质层隔离半导体衬底和导电层；

在形成所述沟槽后，沉积金属间介质层，所述金属间介质层覆盖导电层并填充沟槽，通过设置较大的沟槽深宽比，使得沉积金属间介质层时，在沟槽内金属间介质层中形成较大体积的空气隙，所述较大的沟槽深宽比为大于0.8。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述层间介质层和金属间介质层的材料包括低K介质材料或超低K介质材料。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为氧化硅。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述金属间介质层的形成方法包括等离子体增强化学气相沉积工艺。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述金属间介质层的材料为氧化硅。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料包括铝或钨。

7.一种互连线结构，其特征在于，采用如权利要求1至6中任一项所述的互连线结构的形成方法来形成，所述互连线结构包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有半导体器件；

位于半导体衬底上的层间介质层；

位于层间介质层上的互连线；

所述层间介质层隔离半导体衬底和互连线；

相邻互连线之间的沟槽，所述沟槽的深度小于所述互连线和所述层间介质层的厚度之和，其中，所述沟槽的深宽比大于0.8；

金属间介质层，覆盖所述互连线并填充沟槽，在沟槽中形成空气隙。

8.如权利要求7所述的互连线结构，其特征在于，所述层间介质层和金属间介质层的材料包括低K介质材料或超低K介质材料。

9.如权利要求7所述的互连线结构，其特征在于，所述层间介质层的材料为氧化硅。

10.如权利要求7所述的互连线结构，其特征在于，所述金属间介质层的材料为氧化硅。

11.如权利要求7所述的互连线结构，其特征在于，所述互连线的材料包括铝或钨。