[发明专利]一种青霉素G亚砜DMA复合晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种青霉素G亚砜DMA复合晶体，其化学名称为[(2S,5R,6R)-3,3-二甲基-6-(2-苯乙酰氨基)7-氧代-4-硫杂-1-氮杂双环[3.2.0]庚烷-2-甲酸亚砜]N,N-二甲基乙酰胺复合晶体，其化学结构式如下：

其分子式为C₂₀H₂₇N₃O₆S，分子量为437.5。

2.根据权利要求1所述的一种青霉素G亚砜DMA复合晶体，其特征在于：所述青霉素G亚砜DMA复合晶体的熔点为103.8℃；青霉素G亚砜DMA复合晶体中元素含量为：C:54.8%、N:9.6%、O:21.9%、H:6.2%、S:7.3%。

3.根据权利要求1所述的一种青霉素G亚砜DMA复合晶体，其特征在于：所述青霉素G亚砜DMA复合晶体的X-射线粉末衍射图谱如说明书第3页表1所示。

4.一种青霉素G亚砜DMA复合晶体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

（a）溶解步骤：将青霉素G亚砜溶解在DMA中或含有DMA的水溶液中或含有DMA的混合有机溶液中；

（b）析晶步骤：将上述含有青霉素G亚砜和DMA的溶液降温，使青霉素G亚砜及DMA逐步达到饱和或过饱和状态，析出晶体；将晶体进行分离、干燥后，即得青霉素G亚砜DMA复合晶体。

5.根据权利要求4所述的一种青霉素G亚砜DMA复合晶体的制备方法，其特征在于：所述溶解步骤中的溶解温度为10℃～50℃；所述析晶步骤中的析晶温度为-40℃～0℃。

6.根据权利要求5所述的一种青霉素G亚砜DMA复合晶体的制备方法，其特征在于：所述溶解步骤中的溶解温度为10℃～30℃；所述析晶步骤中的析晶温度为-20℃～0℃。

7.根据权利要求4所述的一种青霉素G亚砜DMA复合晶体的制备方法，其特征在于：所述含有DMA的混合有机溶液中，DMA的重量含量≥40%。

8.根据权利要求4～7任一项所述的一种青霉素G亚砜DMA复合晶体的制备方法，其特征在于：所述含有DMA的混合有机溶液为石油醚、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲苯、苯的其中一种或几种的混合物。

9.根据权利要求4所述的一种青霉素G亚砜DMA复合晶体的制备方法，其特征在于：所述含有DMA的水溶液中，DMA的重量含量≥80%。

10.根据权利要求4所述的一种青霉素G亚砜DMA复合晶体的制备方法，其特征在于：所述青霉素G亚砜与DMA用量的重量比为1:1～1:10。