[发明专利]衬底通孔及其形成方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

半导体衬底；

金属氧化物半导体(MOS)晶体管，包括：

栅电极，位于所述半导体衬底上方；和

源极/漏极区，位于所述栅电极的旁边；

源极/漏极接触塞，包括下部和位于所述下部上方的上部，其中，所述源极/漏极接触塞位于所述源极/漏极区上方并与所述源极/漏极区电连接；

栅极接触塞，位于所述栅电极上方并与所述栅电极电连接，所述栅极接触塞的顶面与所述源极/漏极接触塞的上部的顶面齐平；以及

衬底通孔(TSV)，延伸进所述半导体衬底，所述TSV的顶面与所述栅极接触塞和所述栅电极之间的界面基本上齐平。

2.根据权利要求1所述的器件，还包括：

位于所述半导体衬底上方的层间电介质，其中，所述栅电极和所述源极/漏极接触塞的下部包括位于所述层间电介质中的部分；以及

位于所述层间电介质上方并与所述层间电介质接触的蚀刻停止层，其中，所述TSV的顶面与所述蚀刻停止层接触。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述栅极接触塞和所述源极/漏极接触塞的上部穿透所述蚀刻停止层。

4.根据权利要求1所述的器件，还包括通孔和位于所述通孔上方的金属线，所述通孔和所述金属线形成双镶嵌结构，并且所述通孔的底面与所述栅极接触塞的顶面接触。

5.一种器件，包括：

半导体衬底；

金属氧化物半导体(MOS)晶体管，包括：

栅电极，位于所述半导体衬底上方；和

源极/漏极区，位于所述栅电极的旁边；

源极/漏极接触塞，包括下部和位于所述下部上方的上部，所述源极/漏极接触塞位于所述源极/漏极区上方并与所述源极/漏极区电连接；

栅极接触塞，位于所述栅电极上方并与所述栅电极电连接，所述栅极接触塞的顶面与所述源极/漏极接触塞的上部的顶面齐平；

衬底通孔(TSV)，延伸进所述半导体衬底，所述TSV的顶面与所述源极/漏极接触塞的顶面基本上齐平；

第一蚀刻停止层，位于所述TSV上方并与所述TSV接触；以及

第一通孔和位于所述第一通孔上方的第一金属线，所述第一通孔和所述第一金属线形成第一双镶嵌结构，其中，所述第一通孔的底面与所述栅极接触塞的顶面接触，并且所述第一通孔延伸进所述第一蚀刻停止层。

6.根据权利要求5所述的器件，还包括：

位于所述半导体衬底上方的层间电介质，其中，所述栅电极和所述源极/漏极接触塞的下部包括位于所述层间电介质内的部分；以及

位于所述层间电介质上方并与所述层间电介质接触的第二蚀刻停止层，其中，所述源极/漏极接触塞的上部和下部具有与所述第二蚀刻停止层的底面基本上齐平的界面。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述栅极接触塞和所述源极/漏极接触塞的上部穿透所述第二蚀刻终止层。

8.根据权利要求5所述的器件，其中，所述源极/漏极接触塞的上部和下部形成明显的界面。

9.一种器件，包括：

半导体衬底；

金属氧化物半导体(MOS)晶体管，包括：

栅电极，位于所述半导体衬底上方；和

源极/漏极区，位于所述栅电极的旁边；

源极/漏极接触塞，包括下部和位于所述下部上方的上部，所述源极/漏极接触塞位于所述源极/漏极区上方并与所述源极/漏极区电连接；

位于所述栅电极上方并与所述栅电极电连接的栅极接触塞，所述栅极接触塞的顶面与所述源极/漏极接触塞的上部的顶面齐平；

第一通孔和位于所述第一通孔上方的第一金属线，其中，所述第一通孔和所述第一金属线形成第一双镶嵌结构，所述第一通孔的底面与所述栅极接触塞的顶面接触；以及

延伸进所述半导体衬底的衬底通孔(TSV)，所述TSV的顶面与所述第一金属线的顶面基本上齐平。

10.根据权利要求9所述的器件，还包括：

位于所述半导体衬底上方的层间电介质，其中，所述栅电极和所述源极/漏极接触塞的下部包括位于所述层间电介质中的部分；以及

位于所述层间电介质上方并与所述层间电介质接触的蚀刻停止层，其中，所述源极/漏极接触塞的上部和下部具有与所述蚀刻停止层的底面基本上齐平的界面。