[发明专利]发光封装体及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210558391.X 申请日: 2012-12-20
公开(公告)号: CN103035632A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 张效铨;蔡宗岳 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/54
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光封装体,包括:

数个基底层;

一挡墙结构,配置在所述基底层上并定义出数个容置空间;

数个发光二极管芯片,配置在所述容置空间中,所述发光二极管芯片通过数个导线彼此电连接,其中该挡墙结构的上表面是高过所述发光二极管芯片的发光面;

数个透镜,配置在所述容置空间中并位于所述发光二极管芯片上;以及

一透明封胶体,覆盖所述透镜与所述导线。

2.如权利要求1所述的发光封装体,其中该挡墙结构具有不同的高度。

3.如权利要求1所述的发光封装体,其中所述基底层彼此之间形成一上沟渠及一下沟渠,该上沟渠连通于下沟渠,该挡墙结构配置于该上沟渠上且自该下沟渠暴露。

4.如权利要求1所述的发光封装体,其中所述基底层的材料为金属。

5.如权利要求1所述的发光封装体,其中该基底层具有一侧面,该侧面有一倾斜的上部与一倾斜的下部,而该倾斜的上部与该倾斜的下部的交界定义出一尖端。

6.一种发光封装体的制造方法,包括:

形成一挡墙结构在数个基底层上并定义出数个容置空间;

配置数个发光二极管芯片在所述容置空间中且电连接所述发光二极管芯片,其中该挡墙结构的上表面是高过所述发光二极管芯片的发光面;

形成数个透镜在所述容置空间中并位于所述发光二极管芯片上;以及

形成一透明封胶体于所述透镜与所述导线上。

7.如权利要求6所述的发光封装体的制造方法,其中所述透镜的形成方法包括形成一胶体材料于所述容置空间中。

8.如权利要求7所述的发光封装体的制造方法,其中所述透镜的出光表面形态是决定于该胶体材料、该胶体用量与该挡墙结构的高度。

9.如权利要求6所述的发光封装体的制造方法,其中所述透镜与该透明封胶体是通过模制方式一同形成。

10.如权利要求6所述的发光封装体的制造方法,更包括:

移除一基底结构的上部份并于该基底结构的上表面形成数个上沟渠;以及

移除该基底结构的下部份并于该基底结构的下表面形成数个下沟渠以形成所述基底层,其中所述上沟渠连通于所述下沟渠,且该挡墙结构填充于所述上沟渠并自所述下沟渠曝露。

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