[发明专利]发光封装体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种发光封装体及其制造方法，且特别是有关于发光二极管封装及其制造方法。

背景技术

发光二极管(LED)是形成在晶粒上的半导体光源。LED在许多装置中作为指示灯，而随着发光二极管芯片的亮度与发光效率改善，LED更广泛用于照明。

业界无不积极研究提升发光二极管封装的发光效能及缩小装置的方法，以符合商业需求。

然而，目前使用外加式的透镜需开模制作。不同的发光二极管透镜无法任意地整合使用，因此产品难以客制化设计。或者，为了达到客制化，不同出光效果的发光单位需要独立开模制作，而提高成本。

发明内容

根据本发明的一实施例提出一种发光封装体。发光封装体包括基底层、挡墙结构、发光二极管芯片、透镜与透明封胶体。挡墙结构配置在基底层上并定义出容置空间。发光二极管芯片配置在容置空间中且通过数个导线彼此电连接。挡墙结构的上表面是高过发光二极管芯片的发光面。透镜配置在容置空间中并位于发光二极管芯片上。透明封胶体覆盖透镜与导线。

根据本发明的一实施例提出一种发光封装体的制造方法。方法包括以下步骤。形成一挡墙结构在基底层上并定义出容置空间。配置发光二极管芯片在容置空间中且电连接发光二极管芯片。挡墙结构的上表面是高过发光二极管芯片的发光面。形成透镜在容置空间中并位于发光二极管芯片上。形成透明封胶体于透镜与导线上。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示根据一实施例的发光封装体的剖面图。

图2绘示根据一实施例的发光封装体的上视图。

图3绘示根据一实施例的发光封装体的剖面图。

图4绘示根据一实施例的发光封装体的剖面图。

图5A至图5G绘示根据一实施例的发光封装体的制造方法。

主要元件符号说明：

101～侧面的上部；102、202～挡墙结构；103～侧面的下部；104～基底结构；130～基底层；106、108～导电层；110～容置空间；112～发光二极管芯片；114～黏着层；118～发光面；120、220～透镜；122、222～挡墙侧壁；124～透明封胶层；126～萤光层；128、128A、128B～导线；132、134～光阻层；136、236～出光表面；338～一体成形的结构；S1～上沟渠；S2～下沟渠。

具体实施方式

请参照图1，其绘示根据一实施例的发光封装体的剖面图。基底层104可为例如金属板，材质如铜、铜合金或任意具良好导电导热率材质。基底层104可具有导电层106、108于其上。基底层具有一侧面，其具有一倾斜的上部101与一倾斜的下部103，其中倾斜的上部101与倾斜的下部103的交界定义出一尖端。

挡墙结构102配置在基底层104上。挡墙结构102可定义出数个容置空间110。容置空间110可彼此分开。

发光二极管芯片112可通过黏着层114贴附在容置空间110露出的基底层104的导电层106上。于实施例中，发光二极管芯片112是电性连接至基底层104。黏着层114的材质可具有导电特性。挡墙结构102的上表面高过发光二极管芯片112的发光面118。于一实施例中，举例来说，挡墙结构102可使用具有反射功能的材料形成，以使射出光线集中。换句话说，发光封装体的出光效果可经由调整挡墙结构102的高度、材料性质来控制，因此可具有高的发光效率。举例来说，于此实施例中，发光封装体的发光角度可经由调整挡墙结构具有一致的高度来达成。

透镜120配置在挡墙结构102定义出的容置空间110中并位于发光二极管芯片112上。于实施例中，透镜120是接触挡墙结构102被容置空间110露出的挡墙侧壁122。

透明封胶层124覆盖挡墙结构102、透镜120及导线128以保护其不受外环境的破坏。于一实施例中，可配置萤光层126在发光二极管芯片112上。

发光二极管芯片112可通过导线128彼此电性连接。于此实施例中，导线128的两末端是耦接于不同发光二极管芯片112相同方向的侧面上，换句话说，发光二极管芯片112是以水平的方式彼此电性连接。

在其他实施例中，发光封装体可搭配使用其他光学元件来调整发光的性质，光学元件包括例如扩散片等。