[发明专利]周期信号发生电路有效
申请号: | 201210558545.5 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN103426464B | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 金东均 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 石卓琼,俞波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 周期 信号 发生 电路 | ||
1.一种周期信号发生电路,包括:
控制节点;
第一放电器,所述第一放电器与所述控制节点耦接,并且被配置成响应于使能信号而产生第一电流;
第二放电器,所述第二放电器与所述控制节点耦接,并且被配置成响应于所述使能信号而产生第二电流,
其中,产生周期信号,所述周期信号的周期根据所述第一电流和所述第二电流之和而变化,以及
其中,如果内部温度低于预定的温度,则所述第一电流和所述第二电流之和恒定,而如果所述内部温度比所述预定的温度高,则所述第一电流和所述第二电流之和根据所述内部温度变化而变化。
2.如权利要求1所述的周期信号发生电路,还包括:
输出节点,所述输出节点被配置成输出所述周期信号,
其中,所述周期信号发生电路是半导体存储器件的一部分,并且所述周期信号用于在所述半导体存储器件中刷新存储器单元。
3.如权利要求2所述的周期信号发生电路,其中,所述半导体存储器件被设置在封装体中,并且所述内部温度与所述封装体内的温度相对应。
4.如权利要求1所述的周期信号发生电路,其中,当所述控制节点具有比第一参考电压低的电压电平时,所述控制节点被上拉到具有与电源电压相对应的电压。
5.如权利要求1所述的周期信号发生电路,其中,所述第一电流随着所述内部温度增加而线性地减小。
6.如权利要求5所述的周期信号发生电路,其中,所述第二电流随着所述内部温度增加而非线性地增加。
7.如权利要求6所述的周期信号发生电路,其中,所述第一电流和所述第二电流的总电流随着所述内部温度增加到所述预定的温度之上而非线性地增加。
8.如权利要求1所述的周期信号发生电路,其中,所述第一放电器包括:
开关部,所述开关部被配置成响应于第二参考电压信号而导通,以基于从所述控制节点放电的电荷来产生所述第一电流;以及
激活部,所述激活部被配置成响应于所述使能信号而激活所述开关部。
9.如权利要求8所述的周期信号发生电路,其中,所述第一放电器的所述开关部包括至少一个MOS晶体管,所述至少一个MOS晶体管在所述至少一个MOS晶体管的栅极被施加所述第二参考电压信号时导通。
10.如权利要求8所述的周期信号发生电路,其中,所述第二参考电压信号具有可变电压电平,所述可变电压电平随着所述内部温度增加而线性地减小。
11.如权利要求10所述的周期信号发生电路,还包括用于产生所述第二参考电压信号的参考电压发生器,其中,所述参考电压发生器包括:
第一电阻器,所述第一电阻器将第一节点与第二节点连接;
第一电流源,所述第一电流源响应于所述第一节点和所述第二节点的电压,而作为恒定的电流源操作;
第二电流源,所述第二电流源与所述第二节点连接,以响应于第三节点的电压而作为恒定的电流源操作;
第二电阻器,所述第二电阻器与所述第二电流源连接;
参考电压驱动器,所述参考电压驱动器用于响应于所述第一节点和所述第二节点的电压,而驱动所述第二参考电压信号;以及
线性控制器,所述线性控制器与所述参考电压驱动器的输出节点电连接,
其中,所述第二参考电压信号经由所述参考电压驱动器的输出节点输出。
12.如权利要求1所述的周期信号发生电路,其中,所述第二放电器包括:
二极管部,所述二极管部被配置成具有至少一个二极管元件,以产生从所述控制节点放电的所述第二电流;以及
激活部,所述激活部被配置成响应于所述使能信号而激活所述二极管部。
13.如权利要求4所述的周期信号发生电路,还包括:
比较器,所述比较器被配置成将所述控制节点的电压与所述第一参考电压进行比较以产生比较信号;以及
驱动器,所述驱动器被配置成响应于所述比较信号而将所述控制节点的电压上拉到所述电源电压,
其中,所述周期信号发生电路是动态随机存取存储器件的一部分,并且所述周期信号在所述动态随机存取存储器件中用于刷新存储器单元。
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