[发明专利]周期信号发生电路

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年5月25日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0056371的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

背景技术

一般而言，半导体存储器件可以分为易失性或非易失性存储器件。易失性存储器件在电源中断时会丢失其储存的数据，而非易失性存储器件即使在电源中断时仍能保留其储存的数据。易失性存储器件包括动态随机存取存储（dynamic random access memory，DRAM）器件和静态随机存取存储（static random access memory，SRAM）器件。SRAM器件的单位单元可以包括触发器电路（例如，两个交叉耦接的反相器）和两个开关元件。因而，SRAM单元只要有电源供应，就可以稳定地储存它们的数据。此外，DRAM器件的单位单元可以包括用作开关元件的单元晶体管和用作数据储存元件的单元电容器。如果单元晶体管导通，则单元电容器将会经由单元晶体管而被充电，以将数据比特储存在电容器中。

在DRAM器件中，即使单元晶体管关断，泄漏电流也会经由单元晶体管发生。因而，储存在电容器中的数据（例如，电荷）会随着时间流逝而丢失。因而，需要对单元电容器周期性地再充电，以保留其储存的数据。

刷新操作可以分为自动刷新操作或自刷新操作。自动刷新操作可以通过从存储器控制器中输出的刷新命令来执行，而自刷新操作可以通过在DRAM器件中内部产生的自刷新信号来执行。

可以根据在DRAM器件中确定的刷新周期时间来周期性地执行自刷新操作。刷新周期时间可以通过与单元晶体管能保留最少电荷的最大时间相对应的数据保留时间来确定，所述最少电荷是读取正确的逻辑数据所需要的。数据保留时间会受单元晶体管的泄漏电流特性影响，并且单元晶体管的泄漏电流特性会根据DRAM器件的内部温度而变化。因而，数据保留时间会受DRAM器件的内部温度的影响。

由于泄漏电流随着DRAM器件的内部温度的增加而增加，所以数据保留时间随着内部温度的增加而减小，反之亦然。因而，应当设计刷新电路使得根据DRAM器件的内部温度而改变刷新周期时间。即，应当减小刷新周期时间以保证随着DRAM器件的内部温度的升高，DRAM器件的成功操作。另一方面，应当增加刷新周期时间以随着DRAM器件的内部温度的降低，而减小DRAM器件的功耗。现有的DRAM器件包括周期信号发生电路以根据DRAM器件的内部温度来控制刷新周期时间。

图1是说明现有的周期信号发生电路的框图。

如图1所示，现有的周期信号发生电路包括第一振荡器11、第二振荡器12、温度传感器13以及选择输出单元14。第一振荡器11产生具有稳定周期（例如，恒定的周期时间）的第一振荡信号OSC1而不管周期信号发生电路的内部温度如何。第二振荡器12产生周期根据内部温度变化的第二振荡信号OSC2。温度传感器13产生在预定的温度从一个电平转变成另一个电平的温度信号TS。选择输出单元14响应于温度信号TS而接收第一振荡信号OSC1和第二振荡信号OSC2，并且输出周期信号PSRF。当在比预定的温度低的温度产生温度信号TS时，选择输出单元14输出第一振荡信号OSC1作为周期信号PSRF。另一方面，当在比预定的温度高的温度产生温度信号TS时，选择输出单元14输出第二振荡信号OSC2作为周期信号PSRF。

如上所述，从现有的周期信号发生电路中输出的周期信号PSRF在比预定的温度低的温度使用第一振荡信号OSC1，而在比预定的温度高的温度使用第二振荡信号OSC2。因而，如果由周期信号PSRF来确定刷新周期时间，则在比预定的温度低的温度，刷新周期时间可以是一致的或恒定的，而当温度比预定的温度高时，刷新周期时间可以随着温度而变化。

选择输出单元14可以起比较器的作用。即，选择输出单元14可以响应于温度信号TS而将第一振荡信号OSC1的周期与第二振荡信号OSC2的周期进行比较，并且可以输出第一振荡信号OSC1和第二振荡信号OSC2中的任何一个作为周期信号PSRF。因而，现有的周期信号发生电路需要两个振荡器来持续地产生具有不同特性的振荡信号。另外，当第一振荡信号OSC1的周期与第二振荡信号OSC2的周期之间的差小时，用作比较器的选择输出单元14会发生故障并且输出错误的振荡信号。

发明内容