[发明专利]MOS电容器、其制造方法及使用该电容器的半导体器件

权利要求书

1.一种MOS电容器，包括：

第一电极，其包括虚设单元的沟道区和存储节点触点，所述虚设单元设置在使用开放式位线结构的单元阵列的最外部单元区块中；

介电层，其设置在所述沟道区的一部分上方；以及

第二电极，其设置在所述介电层上方且包括所述虚设单元的位线。

2.根据权利要求1所述的MOS电容器，其中，所述位线包括多晶硅层和金属层的层叠结构，所述金属层包括钨。

3.根据权利要求1所述的MOS电容器，其中，所述沟道区包括N型离子注入区域。

4.根据权利要求3所述的MOS电容器，其中，所述N型离子注入区域形成于凹陷部下方，所述凹陷部以预定深度形成于半导体基板的有源区中。

5.根据权利要求1所述的MOS电容器，其中，所述虚设单元包括：

有源区，其包括位线触点区域、存储节点触点区域和沟道区；

第一栅极和第二栅极，其设置在沟道区上方；以及

存储节点触点，其设置在所述存储节点触点区域中。

6.根据权利要求5所述的MOS电容器，其中，所述第一电极还包括设置在所述存储节点触点上方的金属触点和金属线。

7.根据权利要求1所述的MOS电容器，其中，所述介电层包括选自如下群组中的任一者，所述群组包括氧化硅、氮氧化硅、诸如二氧化铪或氧化钽的高k值材料、以及它们的组合。

8.一种布置在使用开放式位线结构的单元阵列的最外部单元区块中的半导体器件，所述半导体器件包括：

有源区，其包括位线触点区域、存储节点触点区域以及沟道区；

第一电极；

介电层，其邻近所述第一电极并且设置在所述位线触点区域下方；以及

第二电极，其设置在所述介电层上方并且包括虚设位线，

其中，所述第一电极包括：

N型离子注入区域，其位于所述沟道区中；

存储节点触点，其设置在所述存储节点触点区域中；以及

金属触点和金属线，其设置在所述存储节点触点上方；

所述第一电极、所述介电层以及所述第二电极构成电容器。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述N型离子注入区域设置在以预定深度形成于所述有源区中的凹陷部下方。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二电极包括多晶硅层和金属层的层叠结构，所述金属层包括钨。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述介电层包括选自如下群组中的任一者，所述群组包括氧化硅、氮氧化硅、诸如二氧化铪或氧化钽的高k值材料、以及它们的组合。

12.一种布置在使用开放式位线结构的单元阵列的最外部单元区块中的MOS电容器的制造方法，该方法包括：

形成第一电极，所述第一电极包括沟道区和存储节点触点；

形成介电层，所述介电层形成于所述沟道区的一部分上方；以及

在所述介电层上方形成第二电极，所述第二电极包括虚设位线，

其中，所述第一电极、所述介电层以及所述第二电极构成所述MOS电容器。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述虚设位线的步骤包括：

在所述半导体基板上方形成多晶硅层；以及

在所述多晶硅层上方形成金属层，

所述金属层包括钨。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一电极的步骤包括执行N型离子注入工序。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，执行所述N型离子注入工序的步骤包括：采用离子注入的方式将N型离子以预定深度注入到所述半导体基板的有源区中的凹陷部中。

16.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一电极的步骤包括：

形成有源区，所述有源区包括位线触点区域、存储节点触点区域以及所述沟道区；

在所述沟道区中形成第一栅极和第二栅极；以及

在所述存储节点触点区域中形成所述存储节点触点。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述第一电极的步骤还包括：在所述存储节点触点上方形成金属触点和金属线。

18.根据权利要求12所述的方法，其中，所述介电层包括选自如下群组中的任一者，所述群组包括氧化硅、氮氧化硅、诸如二氧化铪或氧化钽的高k值材料、以及它们的组合。