[发明专利]晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管产品，包括：

掺杂层，具有第一掺杂类型，所述掺杂层在其中限定沟槽，并且所述沟槽具有底面；

主体结构，位于所述掺杂层上方，所述主体结构具有上表面并包括体区，并且所述体区具有不同于所述第一掺杂类型的第二掺杂类型；

绝缘体，部分填充所述沟槽；以及

第一导电部件，埋置在所述绝缘体中并且通过所述绝缘体与所述掺杂层和所述主体结构隔离，所述第一导电部件从与所述主体结构的上表面平齐的位置朝向所述沟槽的底面延伸，所述第一导电部件与所述掺杂层重叠一段重叠距离，

所述重叠距离在0到2μm的范围内；

第二导电部件，埋置在所述绝缘体中并且通过所述绝缘体与所述第一导电部件和所述沟槽的底面隔离，所述第二导电部件具有与所述第一导电部件不重叠的延伸部分，并且所述延伸部分朝向所述沟槽的底面延伸，其中：

所述延伸部分具有延伸长度，

所述第一导电部件具有下端，以及

所述延伸长度在从所述第一导电部件的下端到所述沟槽的底面的距离的50％到95％的范围内。

2.根据权利要求1所述的产品，其中，所述绝缘体包括含有氧化硅或氮化硅的材料。

3.根据权利要求1所述的产品，其中，所述第一导电部件包括含有多晶硅、铜、铝、铜铝合金或钨的材料。

4.根据权利要求1所述的产品，其中，所述第一导电部件和所述主体结构之间的最小距离在5nm到100nm的范围内。

5.根据权利要求1所述的产品，其中，所述主体结构进一步包括：

第一区域，具有所述第二掺杂类型，并且所述第一区域的导电性大于所述体区的导电性；以及

第二区域，具有所述第一掺杂类型。

6.根据权利要求1所述的产品，其中，所述第一掺杂类型是N型掺杂，并且所述第二掺杂类型是P型掺杂。

7.根据权利要求1所述的产品，

所述第二导电部件从与所述主体结构的上表面平齐的位置朝向所述沟槽的底面延伸。

8.根据权利要求7所述的产品，其中，所述第二导电部件包括含有多晶硅、铜、铝、铜铝合金或钨的材料。

9.根据权利要求7所述的产品，其中，所述第二导电部件和所述第一导电部件之间的最小距离在10nm到150nm的范围内。

10.根据权利要求7所述的产品，其中，所述第一导电部件具有相对于所述第二导电部件对称配置的两个导电构件。

11.根据权利要求7所述的产品，进一步包括：

第三导电部件，埋置在所述绝缘体中并且通过所述绝缘体与所述第二导电部件隔离，所述第三导电部件从与所述主体结构的上表面平齐的位置延伸到所述沟槽的底面并且与所述沟槽的底面接触。

12.根据权利要求11所述的产品，其中，所述第三导电部件包括含有多晶硅、铜、铝、铜-铝合金或钨的材料。

13.根据权利要求11所述的产品，其中，所述第三导电部件和所述第二导电部件之间的最小距离在50nm到300nm的范围内。

14.根据权利要求11所述的产品，其中，所述第一导电部件具有相对于所述第三导电部件对称配置的两个导电构件。

15.根据权利要求14所述的产品，其中，所述第二导电部件具有相对于所述第三导电部件对称配置的两个导电构件。