[发明专利]一种全抛釉瓷质砖及其制备方法有效
申请号: | 201210561771.9 | 申请日: | 2012-12-22 |
公开(公告)号: | CN103524121A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 黄惠宁;范伟东;钟礼丰;梁瑞益;曾凡武;孟庆娟;喻劲军;钟艳梅 | 申请(专利权)人: | 佛山市三水新华雄陶瓷有限公司;广东金意陶陶瓷有限公司;景德镇金意陶陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B35/14 | 分类号: | C04B35/14;C04B35/622;C04B41/86 |
代理公司: | 佛山东平知识产权事务所(普通合伙) 44307 | 代理人: | 詹仲国 |
地址: | 528133 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 全抛釉瓷质砖 及其 制备 方法 | ||
1.一种全抛釉瓷质砖,包括坯体及其表面的面釉,面釉上层施有全抛釉,其特征在于,所述坯体的化学成分组成含量为:Al2O3(18-19)%、SiO2(68.5-70)%、Fe2O3(0.6-0.8)%、CaO(0.4-0.5)%、MgO(0.7-0.9)%、K2O(2.6-2.8)%、Na2O(2.5-2.7)%、TiO2(0.25-0.35)%、烧失量I.L(4.8-4.9)%;
面釉的化学成分组成含量为:Al2O3(13-15)%、SiO2(60-63)%、B2O3(0.9-1.1)%、CaO(0.7-0.9)%、MgO(13-14)%、ZnO(1.3-1.5)%、K2O(1.3-1.45)%、Na2O(1.4-1.45)%、ZrO2(1.38-1.45)%、其它(3-4)%;
全抛釉的化学成分组成含量为:Al2O3(19-22)%、SiO2(49-51)%、B2O3(0.2-0.3)%、CaO(16 -18)%、MgO(1.4-1.5)%、K2O(1.5-1.8)%、Na2O(2.5-2.7)%、其它(6-7)%。
2.根据权利要求1所述的一种全抛釉瓷质砖,其特征在于,所述坯体的化学成分组成含量优选:Al2O3:18.19%、SiO2:69.29%、Fe2O3:0.72%、CaO:0.46%、MgO:0.82%、K2O:2.72%、Na2O:2.58%、TiO2:0.31%、烧失量I.L:4.86%。
3.根据权利要求1所述的一种全抛釉瓷质砖,其特征在于,面釉的化学成分组成含量优选:Al2O3:14.22%、SiO2:61.78%、B2O3:1.03%、CaO:0.79%、MgO:13.4%、ZnO:1.32%、K2O:1.38%、Na2O:1.43%、ZrO2:1.41%、其它3.24%。
4.根据权利要求1所述的一种全抛釉瓷质砖,其特征在于,全抛釉的化学成分组成含量优选:Al2O3:20.41%、SiO2:50.32%、B2O3:0.23)%、CaO:17.08%、MgO:1.46%、K2O:1.72%、Na2O:2.64%、其它6.14%。
5.一种全抛釉瓷质砖的生产方法,其特征在于,它包括如下步骤:
a、配料,入球球磨,细度控制为250目筛余(1.2-1.6)%,含水量为(30-35)%,经过筛、除铁、喷雾造粒成粉料后,在压机下压制成型;通过220℃干燥窑烘干,烘干时间55min,烘干后的干坯进入釉线;
b、喷淋面釉,经陶瓷喷墨印刷设备印花,用钟罩淋釉工艺在面釉上层施一层全抛釉后入釉烧窑烧成;
c、磨边、抛光,通过磨头抛掉0.10-0.15mm 厚的釉层。
6.根据权利要求5所述的一种全抛釉瓷质砖的生产方法,其特征在于,在工艺步骤b的烧成过程中,全抛釉的始熔温度控制在1050±10℃。
7.根据权利要求5所述的一种全抛釉瓷质砖的生产方法,其特征在于,在工艺步骤b的烧成过程中,要经过升温、保温、降温阶段,产品烧成周期为55min ,470℃以前是预热低温阶段,以55℃-65℃/min的速度完成此阶段的升温;470℃-1100℃是氧化分解阶段,此阶段升温速度控制在40℃-45℃/min;1100℃-1200℃为坯体烧结,釉层玻化阶段,用15-25℃/min 的升温速度到最高烧成温度,到达1200±5℃后采用保温方式,保温时间为7-9min,1200℃-650℃,进行急冷,时间为6-10min,650℃以下应缓冷。
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