[发明专利]发光芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201210561903.8 | 申请日： | 2012-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103887386A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光芯片，包括基板及半导体结构，半导体结构包括依次堆叠于基板上的第一半导体层、发光层及第二半导体层，其特征在于：发光芯片开设从第二半导体层顶面贯穿发光层并至少延伸至第一半导体层顶面的开槽，发光层侧面发出的光线经由开槽出射至发光芯片外。
2.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于：开槽贯穿第一半导体层而延伸至基板顶面，半导体结构被开槽分隔为多个岛区。
3.如权利要求2所述的发光芯片，其特征在于：相邻岛区之间通过连接段连接。
4.如权利要求2所述的发光芯片，其特征在于：相邻岛区之间由开槽完全隔开。
5.如权利要求2至4任一项所述的发光芯片，其特征在于：还包括填充开槽的透明绝缘层，透明绝缘层的顶面与第二半导体层顶面齐平。
6.如权利要求5所述的发光芯片，其特征在于：还包括覆盖第二半导体层及透明绝缘层的透明导电层，透明导电层连接每个岛区。
7.一种发光芯片的制造方法，包括步骤：
提供接合有基板的半导体结构，半导体结构包括依次堆叠的第一半导体层、发光层及第二半导体层；
在半导体结构上开设开槽，开槽从第二半导体层顶面贯穿发光层并至少延伸至第一半导体层顶面，发光层侧面发出的光线经由开槽射出发光芯片外。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：开槽延伸至基板顶面而将半导体结构分隔为多个岛区，相邻岛区之间通过连接段连接。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：在半导体结构上开设开槽之后还包括在开槽内填充透明绝缘层的步骤，透明绝缘层的顶面与第二半导体层顶面齐平。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：在填充透明绝缘层之后还包括在第二半导体层顶面及透明导电层顶面覆盖透明导电层的步骤，透明导电层连接各岛区。
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