[发明专利]发光芯片及其制造方法在审
申请号: | 201210561903.8 | 申请日: | 2012-12-22 |
公开(公告)号: | CN103887386A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 赖志成 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 芯片 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种芯片,特别是指一种发光芯片及其制造方法。
背景技术
发光二极管作为新兴的光源,已被广泛地应用于各种用途当中。发光二极管通常包括基座、安装于基座上的芯片及覆盖芯片的封装体。芯片由基板及依次生长于基板上的N型半导体层、发光层及P型半导体层组成。芯片还分别在其N型半导体层及P型半导体层上形成P电极及N电极,以与基座电连接,从而将电流引入芯片内以驱动发光层发光。
然而,发光芯片在工作时会产生热量。芯片的面积越大,电流所流经的面积就越多,导致产生的热量也就越多,因而芯片的发光效率也会随之降低。如果减小芯片面积,虽然发热量减少,但相应的出光也会减少,同样也会影响到芯片的发光效率。
发明内容
因此,有必要提供一种兼顾出光及散热的发光芯片及其制造方法。
一种发光芯片,包括基板及依次堆叠于基板上的第一半导体层、发光层、第二半导体层及电极,发光芯片开设从第二半导体顶部至少延伸至第一半导体层顶部的沟槽,发光层侧面发出的光线经由沟槽射出发光芯片外。
一种发光芯片的制造方法,包括步骤:提供接合有基板的半导体结构,半导体结构包括依次堆叠的第一半导体层、发光层及第二半导体层;在半导体结构上开设开槽,开槽从第二半导体层顶面至少延伸至第一半导体层顶面,发光层侧面发出的光线经由开槽射出发光芯片外。
由于通过在发光芯片上开设沟槽,使电流流经发光芯片的面积减少,从而降低发光芯片工作时所产生的热量。并且,由于沟槽贯穿发光层而延伸至第一半导体层,因此发光层的侧面所发出的光线可经由凹槽射出发光芯片外,从而在一定程度上抵消由于沟槽的开设导致发光层的面积较少所带来的出光减少的情况。因此,发光芯片可同时兼顾到散热及出光效率,适于产业上的推广应用。
下面参照附图,结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1示出本发明一实施例的发光芯片制造方法的第一个步骤。
图2为经过图1步骤之后所得半成品中基板的俯视图。
图3示出发光芯片制造方法的第二个步骤。
图4示出经过图3步骤之后所得半成品的俯视图。
图5示出制造完成的发光芯片。
图6示出制造完成的发光芯片的俯视图。
主要元件符号说明
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