[发明专利]叠栅式快闪存储器的制作方法

权利要求书

1.一种叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的膜层，所述开口定义叠栅结构的空间；

在所述开口中形成隧穿介质层、位于所述隧穿介质层上的浮栅、位于所述浮栅上的栅间介质层、位于所述栅间介质层上的控制栅；

去除所述膜层，在所述隧穿介质层、浮栅、栅间介质层和控制栅周围形成第一侧墙；

形成第一侧墙后，在所述隧穿介质层、浮栅、栅间介质层和控制栅两侧的衬底中形成源极、漏极。

2.根据权利要求1所述的叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述位于所述隧穿介质层上的浮栅的形成方法包括：

在隧穿介质层和膜层表面形成浮栅层；

去除高于膜层表面的浮栅层，回刻剩余的浮栅层形成浮栅。

3.根据权利要求2所述的叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述去除高于膜层表面的浮栅层的方法为化学机械抛光，所述回刻为等离子刻蚀。

4.根据权利要求1所述的叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，位于所述浮栅上的栅间介质层、位于所述栅间介质层上的控制栅的形成方法包括：

在浮栅表面和膜层表面依次形成介质层和控制栅层；

去除高于膜层表面的介质层和控制栅层，形成栅间介质层和控制栅。

5.根据权利要求1所述的叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，位于所述浮栅上的栅间介质层、位于所述栅间介质层上的控制栅的形成方法包括：

在浮栅表面和膜层表面依次形成介质层和控制栅层；

去除高于膜层表面的介质层和控制栅层、去除浮栅上的部分控制栅层，形成栅间介质层和控制栅。

6.根据权利要求4或5所述的叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述去除高于膜层表面的介质层和控制栅层的方法为化学机械抛光。

7.根据权利要求5所述的叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述去除浮栅上的部分控制栅层的方法为等离子刻蚀。

8.根据权利要求3或7所述的叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述等离子刻蚀为光干涉终点检测等离子刻蚀。

9.根据权利要求1所述的叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述隧穿介质层的材料为氧化硅，形成隧穿介质层的方法为热氧化。

10.根据权利要求1所述的叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述浮栅和控制栅的材料为多晶硅。

11.根据权利要求1所述的叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述膜层为氮化硅。

12.根据权利要求1所述的叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，在所述开口中形成隧穿介质层之前还包括步骤：在所述开口侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙的材料为氧化硅。

13.根据权利要求1所述的叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成具有开口的膜层的方法包括：

在所述衬底上沉积膜层；

在所述膜层上经光刻形成图形化的掩膜层；

以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述膜层至露出半导体衬底。

14.根据权利要求13所述的叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，形成所述开口之后继续刻蚀部分半导体衬底以形成凹槽，所述凹槽的深度小于所述叠栅结构两侧的源极、漏极的结深。