[发明专利]浮置二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种浮置二极管，其特征在于，包括：第一掺杂区边界外的半导体衬底表面具有一第一重掺杂区，所述第一掺杂区的边界和第二掺杂区的边界之间的半导体衬底表面具有一第二重掺杂区；

所述第三掺杂区内的半导体衬底表面具有一第一重掺杂区和两个第二重掺杂区；

其中，所述第一掺杂区、第三掺杂区和第二重掺杂区的掺杂类型相同，第二掺杂区、半导体衬底和第一重掺杂区的掺杂类型相同，第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型相反。

2.如权利要求1所述的浮置二极管，其特征在于，所述第一重掺杂区和第二重掺杂区引出电极。

3.如权利要求1所述的浮置二极管，其特征在于，所述第一掺杂区、第三掺杂区和第二重掺杂区的掺杂类型为N型；所述第二掺杂区、半导体衬底和第一重掺杂区的掺杂类型为P型。

4.如权利要求3所述的浮置二极管，其特征在于，所述第三掺杂区中的两第二重掺杂区互相电连接并引出所述浮置二极管的阴极，所述第三掺杂区中的第一重掺杂区引出所述浮置二极管的阳极，所述第一掺杂区中的第二重掺杂区和第一掺杂区边界外的半导体衬底中的第一重掺杂区互相电连接并接地。

5.如权利要求1所述的浮置二极管，其特征在于，所述第一掺杂区、第三掺杂区和第二重掺杂区的掺杂类型为P型；所述第二掺杂区、半导体衬底和第一重掺杂区的掺杂类型为N型。

6.如权利要求5所述的浮置二极管，其特征在于，所述第三掺杂区中的两第二重掺杂区互相电连接并引出所述浮置二极管的阴极，所述第三掺杂区中的第一重掺杂区引出所述浮置二极管的阳极，所述第一掺杂区中的第二重掺杂区和第一掺杂区边界外的半导体衬底中的第一重掺杂区互相电连接并接地。

7.如权利要求1所述的浮置二极管，其特征在于，所述第一重掺杂区和第二重掺杂区的掺杂浓度大于第三掺杂区的掺杂浓度，所述第三掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度，所述第二掺杂区的掺杂浓度大于第一掺杂区的掺杂浓度，所述第一掺杂区的掺杂浓度大于半导体衬底的掺杂浓度。

8.如权利要求1所述的浮置二极管，其特征在于，所述半导体衬底上包括浅沟槽隔离结构或者硅化物掩蔽层，所述第一重掺杂区和第二重掺杂区之间具有所述浅沟槽隔离结构或者硅化物掩蔽层作为隔离。

9.如权利要求1所述的浮置二极管，其特征在于，所述第三掺杂区中的第一重掺杂区位于所述第三掺杂区的中间，两第二重掺杂区位于所述第三掺杂区的两端，关于所述第一重掺杂区对称。

10.一种如权利要求1至9中任一项所述的浮置二极管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂类型；

在所述半导体衬底的表面形成隔离结构，定义出第一重掺杂区和第二重掺杂区；

然后进行离子注入，包括：

进行第一离子注入形成第一重掺杂区；

进行第二离子注入形成第二重掺杂区；

进行第三离子注入形成第三掺杂区；

进行第四离子注入形成第二掺杂区；

进行第五离子注入形成第一掺杂区；

其中，

第一离子注入或第二离子注入的剂量大于第三离子注入的剂量；

第三离子注入的剂量大于第四离子注入的剂量；

第四离子注入的剂量大于第五离子注入的剂量；

且所述第一离子注入和第二离子注入的杂质类型相反；

所述第二离子注入、第三离子注入和第五离子注入的杂质类型与所述半导体衬底的掺杂类型相反；

所述第一离子注入和第四离子注入的杂质类型与所述半导体衬底的掺杂类型相同。