[发明专利]TFT阵列基板及制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上制作包括栅极的图案，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线；

依次形成栅绝缘层和半导体薄膜，通过一次构图工艺，制作形成位于所述栅绝缘层上的第一过孔以及位于所述半导体薄膜上的第二过孔，所述第一过孔与所述第二过孔对应位置相重合，均位于所述栅极走线的上方；

形成源漏金属层，通过一次构图工艺，制作形成包括有源层的图案和包括源漏电极的图案。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，制作形成位于所述栅绝缘层上的第一过孔以及位于所述半导体薄膜上的第二过孔，包括：

在所述半导体薄膜上涂敷第一光刻胶层；

对所述第一光刻胶层进行曝光、显影处理，形成位于预设置过孔区域的第一光刻胶去除部分、位于其他区域的第一光刻胶保留部分；

采用刻蚀工艺，依次去除所述第一光刻胶去除部分下方的所述半导体薄膜和所述栅绝缘层，形成所述第一过孔和所述第二过孔；

采用剥离工艺，去除所述第一光刻胶保留部分的光刻胶。

3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，制作形成包括有源层的图案和包括源漏电极的图案，包括：

在所述源漏金属层上涂敷第二光刻胶层；

对所述第二光刻胶层进行曝光、显影处理，形成位于预设置包含源漏电极图案区域的第二光刻胶保留部分、位于薄膜晶体管沟道区域的第二光刻胶半保留部分和位于其他区域的第二光刻胶去除部分；

采用刻蚀工艺，依次去除所述第二光刻胶去除部分下方的所述源漏金属层和所述半导体薄膜；

采用灰化工艺，去除所述第二光刻胶半保留部分的光刻胶；

采用刻蚀工艺，去除所述第二光刻胶半保留部分下方的所述源漏金属层和部分所述半导体薄膜，形成所述包括源漏电极的图案和所述包括有源层的图案；

采用剥离工艺，去除所述第二光刻胶保留部分的光刻胶。

4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，在制作形成包括有源层的图案和包括源漏电极的图案之后，还包括：

制作包括第一电极的图案。

5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述制作包括第一电极的图案之后，还包括：

制作钝化层的图案以及包括第二电极的图案。

6.一种TFT阵列基板，包括设置在基板上的包括栅极的图案，栅绝缘层图案，包括有源层的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，其特征在于，还包括：

通过一次构图工艺形成的位于所述栅绝缘层图案上的第一过孔以及位于所述包括有源层的图案上的第二过孔；所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述第一过孔与所述第二过孔对应位置相重合，均位于所述栅极走线的上方。

7.根据权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述包括有源层的图案位于所述栅极、所述栅绝缘层的第一过孔周边区域的上方以及所述源漏电极的下方。

8.根据权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括：钝化层图案和包括第二电极的图案。

9.根据权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述包括源漏电极的图案至少包括源漏电极以及覆盖所述第一过孔和所述第二过孔的连接金属层。

10.根据权利要求9所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述钝化层图案包括钝化层过孔。

11.根据权利要求10所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述包括第二电极的图案至少包括第二电极以及覆盖所述钝化层过孔的连接电极。

12.根据权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述包括第一电极的图案和所述包括第二电极的图案同层设置，所述包括第一电极的图案包含多个第一条形电极，所述包括第二电极的图案包含多个第二条形电极，所述第一条形电极和所述第二条形电极间隔设置。

13.根据权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述包括第一电极的图案和所述包括第二电极的图案异层设置，其中位于上层的电极图案包含多个条形电极，位于下层的电极图案包含多个条形电极或为平板形。

14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6～13任一项所述的阵列基板。