[发明专利]TFT阵列基板及制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)阵列基板及制作方法、显示装置。

背景技术

随着电子技术的不断发展，液晶显示器已广泛的应用于各个显示领域。为了实现液晶显示器的高分辨率，高开口率以及GOA(GateDriver on Array，阵列基板行驱动)技术的应用，AD-SDS(Advanced-Super Dimensional Switching，简称为ADS，高级超维场开关)型阵列基板的生产工艺转化为7次掩膜工艺，即：栅金属层掩膜，有源层掩膜，栅绝缘层掩膜，第一电极层掩膜，源漏金属层掩膜，钝化层掩膜以及第二金属层掩膜来制作完成阵列基板。

发明人在研究过程中发现现有技术至少存在以下问题：由于阵列基板的制作应用了7次掩膜工艺，应用掩膜工艺次数较多，导致产品的产能下降，且制作成本较高。

发明内容

本发明的实施例所要解决的技术问题在于提供一种TFT阵列基板及制作方法、显示装置，能够减少构图工艺次数，降低阵列基板的制作成本。

本申请的一方面，提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括：

在基板上制作包括栅极的图案，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线；

依次形成栅绝缘层和半导体薄膜，通过一次构图工艺，制作形成位于所述栅绝缘层上的第一过孔以及位于所述半导体薄膜上的第二过孔，所述第一过孔与所述第二过孔对应位置相重合，均位于所述栅极走线的上方；

形成源漏金属层，通过一次构图工艺，制作形成包括有源层的图案和包括源漏电极的图案。

进一步的，所述通过一次构图工艺，制作形成位于所述栅绝缘层上的第一过孔以及位于所述半导体薄膜上的第二过孔，包括：

在所述半导体薄膜上涂敷第一光刻胶层；

对所述第一光刻胶层进行曝光、显影处理，形成位于预设置过孔区域的第一光刻胶去除部分、位于其他区域的第一光刻胶保留部分；

采用刻蚀工艺，依次去除所述第一光刻胶去除部分下方的所述半导体薄膜和所述栅绝缘层，形成所述第一过孔和所述第二过孔；

采用剥离工艺，去除所述第一光刻胶保留部分的光刻胶。

进一步的，所述通过一次构图工艺，制作形成包括有源层的图案和包括源漏电极的图案，包括：

在所述源漏金属层上涂敷第二光刻胶层；

对所述第二光刻胶层进行曝光、显影处理，形成位于预设置包含源漏电极图案区域的第二光刻胶保留部分、位于薄膜晶体管沟道区域的第二光刻胶半保留部分和位于其他区域的第二光刻胶去除部分；

采用刻蚀工艺，依次去除所述第二光刻胶去除部分下方的所述源漏金属层和所述半导体薄膜；

采用灰化工艺，去除所述第二光刻胶半保留部分的光刻胶；

采用刻蚀工艺，去除所述第二光刻胶半保留部分下方的所述源漏金属层和部分所述半导体薄膜，形成所述包括源漏电极的图案和所述包括有源层的图案；

采用剥离工艺，去除所述第二光刻胶保留部分的光刻胶。

进一步的，在制作形成包括有源层的图案和包括源漏电极的图案之后，还包括：

制作包括第一电极的图案。

进一步的，在所述制作包括第一电极的图案之后，还包括：

制作钝化层的图案以及包括第二电极的图案。

本申请的另一方面还提供一种TFT阵列基板，包括设置在基板上的包括栅极的图案，栅绝缘层图案，包括有源层的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，还包括：

通过一次构图工艺形成的位于所述栅绝缘层图案上的第一过孔以及位于所述包括有源层的图案上的第二过孔；所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述第一过孔与所述第二过孔对应位置相重合，均位于所述栅极走线的上方。

进一步的，所述包括有源层的图案位于所述栅极、所述栅绝缘层的第一过孔周边区域的上方以及所述源漏电极的下方。

进一步的，所述的TFT阵列基板还包括：钝化层图案和包括第二电极的图案。

进一步的，所述包括源漏电极的图案至少包括源漏电极以及覆盖所述第一过孔和所述第二过孔的连接金属层。

进一步的，所述钝化层图案包括钝化层过孔。

进一步的，所述包括第二电极的图案至少包括第二电极以及覆盖所述钝化层过孔的连接电极。