[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光显示装置，包括：

第一基板，所述第一基板包括多个像素区域；

薄膜晶体管（TFT），所述薄膜晶体管在所述第一基板上的显示单元的每个像素区域中；

第一电极，所述第一电极在所述显示单元的像素区域中；

有机发光单元，所述有机发光单元在所述显示单元的像素区域中以发光；

第二电极，所述第二电极在所述显示单元的所述有机发光单元上；

钝化层，所述钝化层形成在所述第二电极上；以及

第二基板，所述第二基板在所述钝化层上，

其中所述第二电极由银（Ag）与碱土金属的合金或者银（Ag）与稀土金属的合金制成，银（Ag）与所述碱土金属的配比或银（Ag）与所述稀土金属的配比为（大于1）:1，并且所述第二电极的厚度取值范围从至350-

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述钝化层包括：

第一钝化层，所述第一钝化层由无机材料制成并且被设置在所述第二电极上；

第二钝化层，所述第二钝化层由有机材料制成并且被设置在所述第一钝化层上；以及

第三钝化层，所述第三钝化层由无机材料制成并且被设置在所述第二钝化层上。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述第一钝化层和所述第三钝化层由SiNx或SiOx制成。

4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述第一钝化层至所述第三钝化层分别被形成为具有几微米的厚度。

5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述第二电极的折射率为0.1至0.4，而所述第一钝化层的折射率为1.5至2.5。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二电极在460nm波长处具有25%或更大的透射比，在530nm波长处具有20%或更大的透射比，而在620nm波长处具有15%或更大的透射比。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极由从银（Ag）、铝（Al）和Al合金组成的组中选择的材料制成。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一基板由玻璃或塑料制成。

9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二基板由玻璃、塑料或保护膜制成。

10.一种有机发光显示装置的制造方法，所述方法包括：

提供第一基板和第二基板；

将薄膜晶体管（TFT）形成在所述第一基板的每个像素处；

在每个像素中形成第一电极；

在所述第一电极上形成用于发光的有机发光单元；

通过将配比为（大于1）:1且厚度取值范围从至350-的银（Ag）与碱土金属的合金或银（Ag）与稀土金属的合金进行沉积来形成第二电极；

在所述第二电极上形成钝化层；以及

将所述第一基板与所述第二基板贴合。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述钝化层包括：

通过将无机材料沉积在所述第二电极上形成第一钝化层；

通过将有机材料沉积在所述第一钝化层上形成第二钝化层；以及

通过将无机材料沉积在所述第二钝化层上形成第三钝化层。

12.一种有机发光显示装置，包括：

第一基板，所述第一基板包括多个像素区域；

薄膜晶体管（TFT），所述薄膜晶体管位于所述第一基板的显示单元的所述多个像素区域中的每个像素区域处；

第一电极，所述第一电极形成在所述显示单元的像素区域中；

有机发光单元，所述有机发光单元在所述显示单元的像素区域中以发光；

第二电极，所述第二电极在所述显示单元的所述有机发光单元上，并且由银（Ag）与碱土金属的合金或者银（Ag）与稀土金属的合金制成；

钝化层，所述钝化层位于所述第二电极上；以及

第二基板，所述第二基板位于所述钝化层上，

其中所述钝化层包括由无机材料制成并被设置成与所述第二电极接触的第一无机钝化层，并且所述第二电极的折射率为0.1至0.4，而与所述第二电极接触的所述第一无机钝化层的折射率为1.5至2.5。

13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其中所述钝化层还包括形成在所述第一无机钝化层上的至少一个有机钝化层以及第二无机钝化层。