[发明专利]一种沿高活性(040)晶面取向生长圆饼片状N/BiVO4 光催化剂的制备方法有效
申请号: | 201210567606.4 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN103028390A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 谈国强;张丽丽;任慧君 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | B01J23/22 | 分类号: | B01J23/22;B01J35/04;C02F1/30;C02F1/32 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 蔡和平 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 活性 040 取向 生长 圆饼 片状 bivo sub 光催化剂 制备 方法 | ||
【技术领域】
本发明属于功能材料领域,具体涉及一种沿高活性(040)晶面取向生长圆饼片状N/BiVO4光催化剂的制备方法。
【背景技术】
BiVO4是一种新型的可见光响应型光催化剂。BiVO4主要有三种晶型:四方锆石型、单斜白钨矿型结构和四方白钨矿型结构。单斜白钨矿型结构BiVO4的禁带宽度为2.4eV,响应波段在550nm以内,位于可见光的中央部分,从有效利用太阳光的角度来看,BiVO4是一种极具应用前景的材料。
但是,与其他可见光催化剂一样,BiVO4也具有一些缺点,如较小的比表面积,光生电子和空穴的迁移距离较长,光生载流子复合几率较大等,这些不足之处严重影响了BiVO4光催化性能的提高。研究表明,离子掺杂修饰能将离子引入到BiVO4晶格内部,从而在其晶格中引入新电荷、形成缺陷或改变晶格类型,影响光生电子和空穴的运动情况、调整其分布状态或改变BiVO4的能带结构,最终导致BiVO4的光催化活性发生改变。早在1986年sato等人就发现氮的引入,可使TiO2具有可见光活性,但是十几年来一直没有引起人们的重视,直到2001年Asahi提出由于O的ZP轨道和非金属中能级与其能量接近的P轨道杂化后,价带宽化上移,禁带宽度相应减小,从而响应可见光,产生光生载流子而发生氧化还原反应。从而引发了可见光响应型非金属掺杂光催化剂的研究热潮,[Sato S.Chem.Phys.Lett.,1986,123(l-2):126-128]。卢远刚等人采用沉淀法合成了不同氮掺杂量的Bi2O3(N-Bi2O3)粉体,甲基橙在可见光下的降解实验表明,氮掺杂Bi2O3具有良好的可见光催化活性,[卢远刚,杨迎春,叶芝祥等.无机材料学报,2012,27]。Wang等人以TiCl3诱导剂合成了沿(040)晶面取向生长的单斜相钒酸铋粉体,并证明高暴露的(040)晶面是光催化剂产氧效率提高的根本原因,[Wang,D.,et al.Chemistry-AEuropean Journal.2011,17:1275-1282.]。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种沿高活性(040)晶面取向生长圆饼片状N/BiVO4光催化剂的制备方法,以解决BiVO4光催化活性低的问题。
为了达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种沿高活性(040)晶面取向生长圆饼片状N/BiVO4光催化剂的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:将Bi(NO3)3·5H2O溶于去离子水中,得铋盐溶液,将NH4VO3溶于80℃去离子水中,得钒盐溶液,将铋盐溶液和钒盐溶液按照Bi:V=1:1的摩尔配比混合,搅拌均匀,形成混合液A;
步骤2:将NaN3按照NaN3:Bi(NO3)3·5H2O=(0.8~1.1):1的摩尔比加入到混合液A中,搅拌后形成混合液B,将NH4Cl和N2H4·H2O按照NaN3:NH4Cl:N2H4·H2O=3:1:1的摩尔比加入到混合液B中,磁力搅拌均匀形成前驱体;
步骤3:将前驱体放入聚四氟乙烯反应釜中,排出反应釜中的空气,封釜;
步骤4:将反应釜放到微波水热仪中,采用微波水热法反应,反应完成后将生成的黄色沉淀取出,洗涤干燥后得到N/BiVO4光催化剂。
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