[发明专利]一种掩膜板及其制造方法

权利要求书

1.一种掩膜板，包括基底、位于所述基底上的图形化的硅钼薄膜、以及位于所述掩膜板的周边区域且位于所述硅钼薄膜上方的图形化的铬薄膜，其特征在于，所述掩膜板还包括设置于所述铬薄膜上方且覆盖所述铬薄膜的保护层。

2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述保护层的材料为二氧化硅。

3.如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述保护层的厚度为1~50nm。

4.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述基底的材料为石英。

5.如权利要求1至4任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述保护层仅设置于所述铬薄膜的正上方。

6.如权利要求1至4任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述保护层覆盖整个所述掩膜板的上表面。

7.一种掩膜板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成图形化的硅钼薄膜、位于所述硅钼薄膜上方且位于所述掩膜板周边区域的图形化的铬薄膜、以及位于所述铬薄膜上方且覆盖所述铬薄膜的保护层。

8.如权利要求7所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为二氧化硅。

9.如权利要求8所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为1~50nm。

10.如权利要求7所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供基底，在所述基底上依次形成硅钼薄膜、铬薄膜以及保护材料薄膜；

步骤S102：对所述保护材料薄膜和铬薄膜进行刻蚀，形成形状一致的图形；

步骤S103：对所述保护材料薄膜继续进行刻蚀，去除其位于掩膜板的中心区域的部分以形成保护层；

步骤S104：对所述硅钼薄膜进行刻蚀，去除所述硅钼薄膜未被所述铬薄膜覆盖的部分；

步骤S105：刻蚀去除所述铬薄膜未被所述保护层覆盖的部分。

11.如权利要求10所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中形成所述保护材料薄膜的方法为：CVD或ALD。

12.如权利要求10所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括：

步骤S1021：在所述保护材料薄膜上形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶覆盖所述保护材料薄膜需去除部分之外的区域；

步骤S1022：通过干法刻蚀工艺去除所述保护材料薄膜未被所述图形化的光刻胶覆盖的部分，然后通过干法刻蚀去除所述铬薄膜未被所述图形化的光刻胶覆盖的部分；

步骤S1023：去除所述图形化的光刻胶。

13.如权利要求10所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105中，以所述保护层作为硬掩膜，或者，在所述保护层上方额外形成图形化的光刻胶作为掩膜。

14.如权利要求7所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S201：提供基底，在所述基底上依次形成硅钼薄膜和铬薄膜；

步骤S202：对所述铬薄膜进行刻蚀以形成图形化的铬薄膜；

步骤S203：对所述硅钼薄膜进行刻蚀，去除其未被所述铬薄膜覆盖的部分；

步骤S204：刻蚀去除所述铬薄膜位于所述掩膜板的周边区域之外的部分；

步骤S205：形成覆盖整个所述掩膜板上表面的保护层。

15.如权利要求14所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，在所述步骤S201中形成所述保护材料薄膜的方法为：CVD或ALD。请删除该部分以及示意图。由于两者差别较大，不合适放在同一专利中。