[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210568464.3 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN103681741A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 金世埈;李晙硕;金龙哲;沈成斌 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,包括:
分成多个子像素区域的基板;
在所述子像素区域的每一个内形成的薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上形成的绝缘层和平坦化层;
在所述平坦化层上的每个子像素区域内选择性地形成的半透明反射层,所述半透明反射层包括透明层和半透明金属层;
在所述半透明反射层上形成的保护层;
在所述保护层上与所述半透明反射层对应的区域内形成的阳极,所述阳极连接到所述薄膜晶体管;
连接到所述阳极并且发光的有机发光层;和
在所述有机发光层上形成的阴极。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中所述半透明反射层在所述有机发光层发射光的区域内形成。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中所述多个子像素区域与至少红色、绿色、蓝色和白色对应,并且
其中所述半透明反射层仅在与红色、绿色和蓝色对应的子像素区域内形成。
4.如权利要求1所述的显示装置,其中第一半透明反射层形成在第一子像素区域内,并且所述第一半透明反射层配置在离所述阴极第一距离内,其中所述第一距离对应于与所述第一子像素区域对应的颜色的半波长的整数倍。
5.如权利要求4所述的显示装置,其中第二半透明反射层形成在第二子像素区域内,并且所述第二半透明反射层配置在离所述阴极第二距离内,其中所述第二距离对应于与所述第二子像素区域对应的颜色的半波长的整数倍。
6.如权利要求5所述的显示装置,其中所述第一子像素区域对应于红色,所述第二子像素区域对应于绿色,并且所述第一距离不同于所述第二距离。
7.如权利要求1所述的显示装置,其中所述保护层配置在所述阳极和所述半透明反射层之间,以使所述半透明反射层在形成所述阳极期间受到保护。
8.一种制造有机发光二极管显示装置的方法,所述方法包括:
在基板上的多个子像素区域的每一个内形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上的每个子像素区域内选择性地形成半透明反射层;
在所述半透明反射层上形成保护层;
将所述保护层图案化,以暴露所述薄膜晶体管;以及
在所述图案化的保护层上形成阳极,其中所述阳极包括至少一个导电材料层。
9.如权利要求8所述的方法,其中所述多个子像素区域对应于至少红色、绿色、蓝色和白色,并且
其中所述半透明反射层仅在与红色、绿色和蓝色对应的子像素区域内形成。
10.如权利要求8所述的方法,其中形成所述保护层包括:
在所述阳极和所述半透明反射层之间形成所述保护层以便在形成所述阳极期间保护所述半透明反射层。
11.如权利要求8所述的方法,其中形成所述阳极包括:
在所述保护层上形成导电材料层,并且
在所述导电材料层上形成一个或者多个导电材料层,其中所述一个或者多个导电材料层中之一形成为与所述薄膜晶体管相接触。
12.如权利要求8所述的方法,其中形成所述阳极包括:
在与第一颜色对应的第一子像素区域内形成一个或者多个导电材料层,以及
在与第二颜色对应的第二子像素区域内形成一个或者多个导电材料层,
其中位于所述第一子像素区域内的所述一个或者多个导电材料层的第一厚度不同于位于所述第二子像素区域内的所述一个或者多个导电材料层的第二厚度。
13.如权利要求12所述的方法,其中所述第一颜色和所述第二颜色与红色、绿色和蓝色中的一种对应。
14.一种制造有机发光二极管显示装置的方法,所述方法包括:
在基板上的多个子像素区域的每一个内形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上形成绝缘层和平坦化层;
在所述平坦化层上的每个子像素区域内选择性地形成半透明反射层;
在所述半透明反射层上形成保护层;
在所述保护层上选择性地形成第一导电材料层;以及
在所述第一导电材料层上选择性地形成光刻胶层,其中所述光刻胶层在对应子像素区域内的厚度取决于所述对应子像素区域内的所述光刻胶层的曝光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的