[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210568464.3 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN103681741A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 金世埈;李晙硕;金龙哲;沈成斌 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2012年8月28日提交的韩国专利申请10-2012-0094094的优先权,在此通过援引将其全部引入本文。
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法,更具体地说,涉及一种有源矩阵OLED(AMOLED)显示装置及其制造方法。
背景技术
近来,随着信息时代的到来以及关于平板显示装置的研究的持续加速,继液晶显示装置(LCD)之后的OLED显示装置作为下一代平板显示装置正在被积极地开发。
由于OLED显示装置是自发光装置,因此OLED显示装置与LCD装置不同,不需要背光,因而能够比LCD装置更轻和更薄。另外,OLED显示装置以低电压驱动,实现的色彩接近自然色彩,并且具有高发光效率、宽视角和快响应时间。因此,OLED显示装置能够生动地实现高质量的运动图像。
OLED显示装置是电流驱动装置,并且使用相比LCD装置而言复杂的驱动电路。在通过多条栅线和数据线之间的交叉界定的多个子像素的每一个子像素中,经由栅线传输的栅信号施加到开关薄膜晶体管的栅极,而经由数据线传输的数据信号通过栅极施加到驱动薄膜晶体管。施加到驱动薄膜晶体管的栅极的数据信号允许经由电源线传输的驱动电流被施加到相应的子像素的阳极,由此驱动有机发光层。
如上所述,OLED显示装置的每个子像素包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,即,基本上需要两个或者更多的薄膜晶体管。另外,每个子像素包括复杂的补偿电路,用于在期望的时间内发出期望的颜色光。
OLED显示装置的开口率因薄膜晶体管和补偿电路之故而相当大地降低,因而发射到外面的光的强度降低,光抽取效率(extraction efficiency)减小。
此外,从OLED显示装置的OLED发出的光透过多个薄膜,最终通过偏振器传输到外面。偏振器应用在OLED显示装置上,用于防止外部光的反射。发出的光由这些薄膜全反射,因而造成损失,或者在发出的光透过偏振器时至少50%的该发出的光损失掉。由于这个原因,亮度和光抽取效率减小。
发明内容
因而,本发明涉及一种OLED显示装置及其制造方法,其基本上克服了因现有技术的局限性和缺点而造成的一个或者多个问题。
本发明一方面旨在提供一种具有提高的光抽取效率的OLED显示装置及其制造方法。
本发明的其它优点和特征的一部分将在随后的描述中加以阐述,一部分在研读下面内容之后对本领域技术人员将会不言自明,或者可以通过对本发明的实践而习得。本发明的目的和其它的优点可以通过在该书面的描述及其权利要求书连同附图中所特别指出的结构来实现或者获得。
为了实现这些和其它的优点,依照本发明的目的,如这里所具体和概括描述,提供了一种OLED显示装置,包括:分(segment)成多个子像素区域的基板;在每个所述子像素区域内形成的薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上形成的绝缘层和平坦化层;半透明反射层,所述半透明反射层在所述平坦化层上的每个子像素区域内选择性地形成,并且包括透明层和半透明金属层;在所述半透明反射层上形成的保护层;阳极,所述阳极在与所述保护层上的所述半透明反射层相对应的区域内形成,并且连接到所述薄膜晶体管;连接到所述阳极并且发光的有机发光层;和在所述有机发光层上形成的阴极。
本发明的另一方面提供了一种制造OLED显示装置的方法,包括:在基板上的多个子像素区域的每一个内形成薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上的每个子像素区域内选择性地形成半透明反射层;在所述半透明反射层上形成保护层;将所述保护层图案化以暴露所述薄膜晶体管;以及在所述图案化的保护层上形成阳极,所述阳极被形成为至少一个导电材料层。
本发明的又一方面提供了一种制造OLED显示装置的方法,包括:在基板上的第一到第三子像素区域的每一个内形成薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上形成绝缘层;在所述绝缘层上的每个子像素区域内选择性地形成半透明反射层;在所述半透明反射层上形成保护层;在所述保护层上并在每个子像素区域内选择性地形成第一导电材料层;以及在所述第一导电材料层和所述保护层上形成第二导电材料层。
要理解的是,对本发明的前面的概括性描述和后面的具体描述都是示例性和解释性的,意在对要求保护的发明提供进一步的解释。
附图说明
所包括的附图提供了对本发明的进一步的理解,结合在本申请中并构成本申请的一部分,解释了本发明的实施方式,并与说明书一起用于解释本发明的原理。图中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的