[发明专利]一种具有改善中高频发音功能的振膜及其制备方法

权利要求书

1.一种具有改善中高频发音功能的振膜，其特征在于，所述振膜包括振膜主体、连接部、振膜支架以及预应力薄膜，所述振膜主体与所述预应力薄膜贴合接触；所述振膜主体上开设有凹陷部；所述预应力薄膜g固定紧绷并密封于所述振膜支架上；所述振膜主体的一端通过所述连接部连接于所述振膜支架上。

2.根据权利要去1所述的具有改善中高频发音功能的振膜，其特征在于，所述凹陷部至少为一个。

3.根据权利要求2所述的具有改善中高频发音功能的振膜，其特征在于，所述凹陷部的凹陷深度小于或等于所述振膜主体的厚度的一半。

4.根据权利要求3所述的具有改善中高频发音功能的振膜，其特征在于，所述凹陷部为圆形、椭圆形、三角形、棱形、矩形或异形。

5.根据权利要求4所述的具有改善中高频发音功能的振膜，其特征在于，所述振膜主体、连接部以及振膜支架为铝材质或铝镁合金材质或铜材质或铁镍合金材质。

6.根据权利要求5所述的具有改善中高频发音功能的振膜，其特征在于，所述连接部的厚度小于所述振膜主体的厚度。

7.根据权利要求6所述的具有改善中高频发音功能的振膜，其特征在于，所述振膜主体、连接部以及振膜支架一体成型。

8.一种振膜的制备方法，用于成型如权利要求7所述的振膜，其特征在于，包括以下步骤：

（一）备料和参数计算，准备振膜所用的原材料并且根据所述振膜的形状进行成型参数的计算；

（二）成型，根据所述成型参数对所述原材料进行成型。

9.根据权利要求8所述的振膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（一）中的成型参数包括振膜主体的形状尺寸、凹陷部的形状尺寸、连接部的形状尺寸以及振膜支架的形状尺寸中的一种或多种，所述步骤（二）中的成型包括对所述振膜主体的形状、凹陷部的形状、连接部的形状以及振膜支架的形状中的一种或多种进行成型。

10.根据权利要求9所述的振膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(一）和（二）中的成型为蚀刻或冲压成型或激光切割。