[发明专利]采用电磁加热的CVD设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体生产设备的设计领域，尤其涉及采用电磁加热的CVD设备。

背景技术

化学气相沉积（英文：Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。半导体产业使用此技术来成长薄膜。典型的CVD制程是将晶圆（基底）暴露在一种或多种不同的前驱物下，在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品，但大多会随着气流被带走，而不会留在反应腔中。

化学气相沉积技术已在半导体镀膜领域广泛运用，由于半导体镀膜的过程需要在隔离与外界空气接触的状态或接近真空的状态下进行。现有技术中，半导体集成制造系统的每一工艺流程均需在密闭的环境下进行，当完成一工艺流程后，需将半导体半成本取出，以进行下一步的工艺处理，但其对取出后的空间真空度要求较高，因此造成半导体集成制造设备制造困难，厂房的规模巨大。厂家投资建厂一方面需承担前期大量的资金投入，另一方面通常建设一半导体集成制造系统需要数年的时间，可见目前建设一半导体集成制造系统资金投入量大且时间久，且容易造成厂家资金周转的困难。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术之缺陷，旨在提供采用电磁加热的CVD设备以实现半导体生产设备中的CVD镀膜设备实现模块化和微型化设计，从而降低CVD镀膜设备的制造成本。

本发明是这样实现的，采用电磁加热的CVD设备，包括一壳体，所述壳体横向两侧分别设有供放置待镀材料的传输带通过的入口和出口，且所述传输带将所述壳体分隔成上腔与下腔，所述壳体内入口和出口处分别设有动态夹持所述传输带并带动其移动的滚筒组，各所述滚筒组包括贴设于传输带上侧的上滚筒和贴设于传输带下侧的下滚筒，所述壳体上还设有驱动所述滚筒组运转的第一伺服电机；所述壳体上开设有供惰性气体进入的进气口和离开的排气口，所述下腔内设有移动的电磁混合装置，所述电磁混合装置具有一朝向所述传输带并喷射工作气体的喷气嘴。

具体地，所述下腔内设有一转动的丝杆，所述电磁混合装置设有与所述丝杆适配的螺纹孔，所述电磁混合装置由所述螺纹孔安装于所述丝杆上。

具体地，所述电磁混合装置包括具有混合腔的混合仓、包覆所述混合仓的支撑框架，所述支撑框架上设有围绕于所述混合仓周边的电磁感应线圈，所述电磁感应线圈外接交流电源。

具体地，所述混合仓包括位于底端的进气部、与进气部连接且位于顶端并形成所述混合腔的的混合部，所述进气部容纳于所述支撑框架内，所述进气部内设有若干与所述混合部气路连通的进气腔道，所述喷气嘴设于所述混合部。

具体地，所述喷气嘴呈长条形狭缝，所述混合部包括由所述喷气嘴向两侧分别延伸出的两斜向面及将所述斜向面与所述进气部连接的水平面，所述混合部的横向截面呈等腰三角形；所述进气腔道为两条，所述进气部设有由其底部向所述混合部延伸的分隔壁，两所述进气腔道由所述分隔壁及所述进气部侧壁围合而成。

具体地，所述进气部的底端开设两个连通外部进气设备的通孔，两所述通孔分别与两所述进气腔道连接。

具体地，所述混合部靠近所述进气部具有突出于所述进气部的突出部分。

具体地，所述电磁混合装置还包括设于所述壳体侧壁并驱动所述丝杆转动的第二伺服电机。

具体地，各所述上滚筒和下滚筒的表面设有弹性层，各所述上滚筒和下滚筒的两端部表面相互弹性按压，各所述上滚筒和下滚筒之间具有供所述传输带通过的间隙，且各所述上滚筒和下滚筒与所述传输带之间相互弹性按压。

具体地，上述CVD设备包括控制系统，还包括包括控制系统，所述控制系统包括膜厚监控系统、测温装置、压力测控系统、视频监控装置。

本发明的有益效果：本发明提供的采用电磁加热的CVD设备通过采用在所述壳体与所述传输带之间设置所述滚筒组，利用所述滚筒组与壳体和所述传输带的密封连接关系，达到所述壳体与所述传输带之间的动态密封设计；通过在所述壳体上开设有供惰性气体进入的进气口和离开的排气口，在进CVD镀膜时，先使惰性气体通过所述进气口进入所述壳体内部，同时使所述壳体内的气体由所述排气口排出，如此可在所述壳体内形成高浓度的惰性气体，使得镀膜过程中，避免放置于所述传输带上的待镀膜材料与空气发生化学反应；同时，本发明的CVD设备采用移动的电磁混合装置，用移动的替代固定的电磁混合装置，可以使得整个电磁混合装置微型化。

附图说明

图1是本发明一优选实施例的外部结构示意图；