[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，其特征在于，在所述阴极层上交替蒸镀至少一层有机阻挡层和一层无机阻挡层；所述有机阻挡层的材质为金属酞菁化合物，所述无机阻挡层的材质为掺杂10-40wt％氟化物的氧化物组成的混合物。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层和无机阻挡层均为4-6层，每层所述有机阻挡层的厚度为100～200nm，每层所述无机阻挡层的厚度为50～100nm。

3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍。

4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化物为TiO₂、MgO、SiO₂、ZrO₂、ZnO或Al₂O₃，所述氟化物为AlF₃、HfF₄、ZrF₄、CeF₂、YF₃或MgF₂。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属酞菁化合物为酞菁锌，所述无机阻挡层的材质为掺杂10wt％HfF₄的MgO组成的混合物。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层为三明治结构，两个外层的材质为ZnS，中间层的材质为Ag，每个所述外层的厚度为30nm，所述中间层的厚度为10nm。

7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为掺杂30wt％MoO₃的N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺，所述空穴注入层的厚度为10nm；所述空穴传输层的材质为4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述空穴传输层的厚度为30nm；所述发光层的材质为掺杂5wt％三(2-苯基吡啶)合铱的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述发光层的厚度20nm；所述电子传输层的材质为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述电子传输层的厚度为10nm；所述电子注入层的材质为掺杂30wt％CsN₃的4，7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述电子注入层的厚度为20nm。

8.一种权利要求1-7任一所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；

(2)、在所述阴极层上真空蒸镀有机阻挡层；其中，所述有机阻挡层的材质为金属酞菁化合物；

(3)、把步骤(2)制得的样品、氟化物和氧化物一同放入磁控溅射设备中，在所述有机阻挡层上磁控溅射制备无机阻挡层；其中，所述无机阻挡层的材质为掺杂10-40wt％氟化物的氧化物组成的混合物；

(4)、多次交替重复步骤(2)和步骤(3)；

待上述工艺步骤结束后，得到有机电致发光器件。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述真空蒸镀中，真空度为1×10^-5Pa-1×10^-3Pa，蒸镀速度为

10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述磁控溅射中，真空度为1×10^-5Pa-1×10^-3Pa，磁控溅射时还包括通入流量为5～10sccm的氩气。