[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件领域，特别是涉及有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在铟锡氧化物(Indium TinOxides，ITO)玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。其发光机理和过程是从阴、阳两极分别注入电子和空穴，被注入的电子和空穴在有机层内传输，并在发光层内复合，从而激发发光层分子产生单态激子，单态激子辐射衰减而发光。

OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。

但是，由于外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，导致有机功能材料失效及电极性能的下降，所以目前有机电致发光器件普遍存在寿命短的缺陷，若使有机电致发光器件达到足够的使用寿命，最为关键的就是对器件进行有效的封装，因此封装的好坏直接影响器件的寿命。

发明内容

基于此，有必要提供一种防水、氧能力强的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在所述阴极层上交替蒸镀至少一层有机阻挡层和一层无机阻挡层；所述有机阻挡层的材质为金属酞菁化合物，所述无机阻挡层的材质为掺杂10-40wt％氟化物的氧化物组成的混合物。

利用酞菁的配位性与第4周期的金属配位形成金属酞菁化合物，所形成的金属酞菁化合物具有良好的光电效应。氧化物为呈透明状态的氧化物，由于是透明的，所以采用透明氧化物作为无机阻挡物的材质不会对光的传输产生影响；氟化物具有防水、防油污的性能，可以作为防水材料，在透明氧化物中掺杂10-40wt％氟化物，不仅可以保证较高的透光率，还能提高封装结构的防水氧能力。

在其中一些实施例中，所述有机阻挡层和无机阻挡层均为4-6层。

在其中一些实施例中，每层所述有机阻挡层的厚度为100nm-200nm，每层所述无机阻挡层的厚度为50～100nm。

在其中一些实施例中，所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍。

在其中一些实施例中，所述氧化物为TiO₂、MgO、SiO₂、ZrO₂、ZnO或Al₂O₃，所述氟化物为AlF₃、HfF₄、ZrF₄、CeF₂、YF₃或MgF₂。

在其中一个实施例中，所述金属酞菁化合物为酞菁锌，所述无机阻挡层的材质为掺杂10wt％HfF₄的MgO组成的混合物。

在其中一个实施例中，所述阴极层为三明治结构，两个外层的材质为ZnS，中间层的材质为Ag，每个所述外层的厚度为30nm，所述中间层的厚度为10nm。

在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材质为掺杂30wt％ MoO₃的N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺，所述空穴注入层的厚度为10nm；所述空穴传输层的材质为4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺，所述空穴传输层的厚度为30nm；所述发光层的材质为掺杂5wt％三(2-苯基吡啶)合铱的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述发光层的厚度20nm；所述电子传输层的材质为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述电子传输层的厚度为10nm；所述电子注入层的材质为掺杂30wt％CsN₃的4，7-二苯基-1，10-菲罗啉，所述电子注入层的厚度为20nm。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

(1)、在阳极基底的阳极层表面依次层叠真空蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；

(2)、在所述阴极层上真空蒸镀有机阻挡层；其中，所述有机阻挡层的材质为金属酞菁化合物；