[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201210573691.5 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103904126A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 曾坚信 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层以及覆盖在栅绝缘层表面的氧化铟镓锌沟道层，其特征在于：该薄膜晶体管还包括一设置在沟道层表面的氧化镓锌层，该氧化镓锌层的相对两侧形成有源极和漏极。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化镓锌层覆盖整个沟道层，所述源极和漏极形成在氧化镓锌层上。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，承载所述源极和漏极的氧化镓锌层两侧区域的厚度与氧化镓锌层的中央区域厚度相同。
4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，承载所述源极、漏极的氧化镓锌层两侧区域的厚度比氧化镓锌层的中央区域厚度小。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化镓锌层覆盖沟道层的中部，所述源极和漏极覆盖沟道层的两个侧部。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化镓锌层的厚度大于0.5纳米。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化镓锌层的厚度与沟道层的厚度比范围为1:100到5:1。
8.如权利要求1至7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述多层氧化镓锌半导体层中镓的含量沿远离沟道层的方向逐渐增加。
9.如权利要求1至7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化镓锌层由多层氧化镓锌半导体层堆叠而成，且该多层氧化镓锌半导体层中镓的成分各不相同。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述多层氧化镓锌半导体层中，距离沟道层较近的氧化镓锌半导体层中镓的含量低于距离沟道层较远的氧化镓锌半导体层中镓的含量。
11.一种薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层以及覆盖在栅绝缘层表面的氧化铟镓锌沟道层，其特征在于：该薄膜晶体管还包括一设置在沟道层表面的、不含铟的金属氧化物半导体层，该金属氧化物半导体层的相对两侧形成有源极和漏极。
12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体层为氧化铝锌半导体层。
13.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体层为含镓的氧化物半导体层。
14.如权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体层为载流子浓度小于1016cm-3的氧化物半导体层。
15.如权利要求14所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体层为氧化镓锌半导体层。
16.如权利要求15所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体层为能够使红外线通过的含镓氧化物半导体层。
17.如权利要求16所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体层的红外线透过率大于或等于60%。
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