[发明专利]薄膜晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管。

背景技术

随着工艺技术的进步，薄膜晶体管已被大量应用在显示器之中，以适应显示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶体管一般包括栅极、漏极、源极以及沟道层等组成部分，其通过控制栅极的电压来改变沟道层的导电性，使源极和漏极之间形成导通或者截止的状态。

氧化铟镓锌（Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO）薄膜晶体管目前已经被广泛的研究和应用在液晶面板上，特别是高解析度和大尺寸面板。但因IGZO薄膜易受外部环境的温度、氧含量、水汽、光照等环境因素影响，因此，在采用溅镀工艺制备IGZO薄膜时，制程中的等离子会对IGZO薄膜产生损害，进而影响IGZO薄膜晶体管的电流开关比、表面载流子浓度等参数，使得薄膜晶体管品质不高。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种较佳品质的薄膜晶体管。

一种薄膜晶体管，包括基板、设置在基板上的栅极、设置在基板上且覆盖栅极的栅绝缘层、覆盖在栅绝缘层表面的氧化铟镓锌沟道层、以及设置在沟道层表面的氧化镓锌层，该氧化镓锌层的相对两侧形成有源极和漏极。

在本发明提供的薄膜晶体管中，由于氧化镓锌层中没有铟原子存在，因此载流子无法使用铟原子的5s轨道形成电传导，且氧化镓锌层中镓原子位于晶格间隙之间形成一散射中心，使氧化镓锌层中晶体结构产生形变，同时镓原子也会抑制氧缺陷（Oxygen Vacancy）的形成，因此可以有效降低薄膜载流子浓度，减低表面漏电流，使薄膜晶体管的电流开关比获得较佳改善。

附图说明

图1是本发明第一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。

图2是本发明实施例提供的薄膜晶体管的氮化镓锌层的结构示意图。

图3是本发明第二实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。

图4是本发明第三实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。

主要元件符号说明

薄膜晶体管10、20、30基板11栅极12栅绝缘层13沟道层14氧化镓锌层15氧化镓锌半导体层150、152、154、156源极16漏极17

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请参见图1，本发明第一实施例提供的薄膜晶体管10包括基板11，栅极12，栅绝缘层13，沟道层14，氧化镓锌（GaZnO）层15，源极16以及漏极17。

该基板11用于承载栅极12以及栅绝缘层13。该基板11的制作材料可为玻璃、石英、硅晶片、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或金属箔等。

该栅极12设置在基板11的表面。在本实施例中，所述栅极12设置在基板11的中心区域。栅极12的制作材料选自铜、铝、镍、镁、铬、钼、钨及其合金。