[发明专利]晶片附接设备在审
申请号: | 201210575149.3 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103187342A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 金民;朴渊默;徐基锡;韩泳洪 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 设备 | ||
1.一种晶片附接设备,包括:
台;
夹持器部件,其是可移动的以对所述台施加负载;
负载测量部件,其布置在所述夹持器部件与所述台之间,并且测量所述夹持器部件与所述台之间的负载,所述负载测量部件划分成多个负载测量区域,并且所述负载测量部件分别测量所述多个负载测量区域内的负载;以及
控制器部件,其基于由所述负载测量部件测量的所述多个负载测量区域内的负载,来确定所述夹持器部件是处于倾斜状态下还是处于非倾斜状态下。
2.权利要求1的晶片附接设备,其中所述负载测量部件包括:
基座部件,其具有根据所述多个负载测量区域内的负载的可变电阻;
布置在所述基座部件上的一个或多个第一电极;以及
布置在所述基座部件上以与所述一个或多个第一电极对应的一个或多个第二电极。
3.权利要求2的晶片附接设备,其中所述多个负载测量区域的每一个包括对应地布置的所述一个或多个第一电极中的至少一个和所述一个或多个第二电极中的至少一个。
4.权利要求2的晶片附接设备,其中所述一个或多个第一电极中的一个被布置为对应于所述一个或多个第二电极中的一个。
5.权利要求2的晶片附接设备,其中所述一个或多个第一电极中的一个被布置为对应于多个第二电极。
6.权利要求2的晶片附接设备,其中所述一个或多个第一电极被布置在所述一个或多个第二电极的周围。
7.权利要求2的晶片附接设备,其中所述一个或多个第二电极被布置在所述一个或多个第一电极的周围。
8.权利要求2的晶片附接设备,其中所述多个负载测量区域的每一个包括被布置为与所述一个或多个第一电极中的单个第一电极对应的多个第二电极。
9.权利要求2的晶片附接设备,其中所述一个或多个第一电极是具有一体式结构的单个第一电极。
10.权利要求9的晶片附接设备,其中所述单个第一电极被布置在所述一个或多个第二电极的周围并且围绕所述一个或多个第二电极。
11.权利要求9的晶片附接设备,其中所述单个第一电极被布置在所述一个或多个第二电极之间。
12.权利要求2的晶片附接设备,其中:
基准电压被施加到所述一个或多个第一电极;并且
测量电压被施加到所述一个或多个第二电极。
13.权利要求1的晶片附接设备,其中所述控制器部件将在所述多个负载测量区域内测量的负载相互比较。
14.权利要求1的晶片附接设备,其中所述负载测量部件插入所述夹持器部件中的沟槽中。
15.一种晶片附接设备,包括:
台;
夹持器部件,其是可移动的以对所述台施加负载;
负载测量部件,其布置在所述台上,并且测量所述夹持器部件与所述台之间的负载,所述负载测量部件划分成多个负载测量区域,并且所述负载测量部件分别测量所述多个负载测量区域内的负载;以及
控制器部件,其基于由所述负载测量部件测量的所述多个负载测量区域内的负载,来确定所述夹持器部件是处于倾斜状态下还是处于非倾斜状态下。
16.一种晶片附接设备,包括:
台;
夹持器部件,其能够对所述台施加负载;
负载测量部件,其容纳于所述夹持器部件内,并且测量所述夹持器部件与所述台之间的负载,所述负载测量部件划分成多个负载测量区域,以使得所述负载测量部件测量所述多个负载测量区域的每一个内的负载;以及
控制器部件,其基于在所述多个负载测量区域的每一个内测量的负载,来确定所述夹持器部件是处于倾斜状态下还是处于非倾斜状态下。
17.权利要求16的晶片附接设备,其中所述多个负载测量区域的每一个通过至少一个电极单独地连接到所述控制器部件。
18.权利要求16的晶片附接设备,其中所述多个负载测量区域的每一个包括第一电极和第二电极,所述第一电极延伸通过所述多个负载测量区域中的两个或多个,并且通过第一电线连接到所述控制器部件,所述第二电极的整体处在所述多个负载测量区域中的一个中并且通过第二电线连接到所述控制器部件。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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